[发明专利]透明电极基板及其制造方法以及具有该透明电极基板的电子设备和太阳能电池无效
申请号: | 201110394002.X | 申请日: | 2011-12-01 |
公开(公告)号: | CN102593194A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 罗永春;武藤豪志 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 王浩然;周建秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 电极 及其 制造 方法 以及 具有 电子设备 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及透明电极基板及其制造方法、以及具有该透明电极基板的电子设备和太阳能电池。具体地,本发明涉及透光率高的透明电极基板及其制造方法、以及具有该透明电极基板的电子设备和太阳能电池。
背景技术
近年来对在有机电致发光(有机EL)、含有有机太阳能电池的各种太阳能电池、触摸屏、手机和电子纸(電子ペ一パ一)等中的具有透明导电层的透明电极基板进行了广泛地研究。
玻璃基板等的基板上形成透明导电层的透明电极基板通常作为太阳能电池、有机EL元件等的电子设备的电极使用。但是,通常的锡掺杂氧化铟(以下称为ITO)等的金属氧化物层作为透明导电层使用的透明电极基板,不仅表面电阻率不低、而且ITO自身的体积电阻率也高。作为有机EL、各种太阳能电池、触摸屏、手机、电子纸等的透明导电基板,需要例如具有5Ω/□左右以下的表面电阻率的透明导电基板。
针对该需要,正在研究相比于透明导电层,体积电阻率极低的金属材料层作为辅助电极使用的透明电极基板。
例如,专利文献1公开了在基板上依次层叠有透明氧化物层、金属层、透明氧化物层而形成的带透明导电膜的基体。但是,此种结构的透光率低,作为薄膜设备的透明电极基板没有实用性。另外,由于金属层在透明氧化物层的整体上层叠,因此当金属层劣化时,使用该带透明导电膜的基体的薄膜设备的耐久性存在问题。
另外,专利文献2公开了一种电致发光屏,该电致发光屏包括由基板上形成的ITO组成的第一电极层,在第一电极层上形成的由金属组成的条纹状或网状的辅助电极层,在辅助电极层上划分发光区域的发光层,以及在发光层上形成的第二电极层。
其次,专利文献3公开了一种有机薄膜太阳能电池,该有机薄膜太阳能电池包括透明基板,在该透明基板上非依次层叠的由金属薄膜形成的网状电极和透明电极,在所述网状电极和透明电极上形成的光电转换层,在所述光电转换层上形成的对向电极。
但是,此种结构有可能引发由金属的腐蚀带来的劣化等问题。
专利文献4公开了一种透明导电薄膜,该透明导电膜包括在透明的基材片的至少一面上具有贱金属或由贱金属形成的合金制的导电金属网状层、以及由导电高分子层形成的透明导电层。专利文献5公开了一种透明导电膜,该透明导电膜为具有网状的导电层的透明导电膜,该网状的导电层在透明支撑体上由至少一种金属形成,在该导电层上设置有含有迁移抑制剂的透明导电层。专利文献6公开了一种用于色素增感型太阳能电池的电极,在通过在基板上形成透明导电膜而成的用于色素增感型太阳能电池的电极中,在该基板与透明导电膜之间,设置有比该透明导电膜的电阻值更低的导体。
但是,作为太阳能电池、有机EL元件等电子设备的电极,需要进一步提高透明电极基板的透明性、导电性以及耐久性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开平10-241464号公报;
专利文献2:特开2008-103305号公报;
专利文献3:特开2010-157681号公报;
专利文献4:特开2009-081104号公报;
专利文献5:特开2009-146678号公报;
专利文献6:特开2004-296669号公报。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而提出的,本发明目的在于解决上述问题、提供一种透光率高、导电性优异的透明电极基板及其制造方法以及具有该透明电极基板的电子设备。
为了解决上述问题,本发明的发明人进行了深入地研究,结果发现,通过形成如下述的层结构,能够解决上述问题,从而完成了本发明。
即,本发明提供如下所记:
(1)一种透明电极基板,该透明电极基板通过在透明基材的一面上层叠埋设了导电金属网状层的透明导电层而形成;
(2)上述(1)所述的透明电极基板,其中,所述透明导电层为由金属氧化物形成的层;
(3)上述(1)所述的透明电极基板,其中,所述导电金属网状层的厚度为1-100nm;
(4)上述(1)所述的透明电极基板,其中,所述导电金属网状层的开口部的开口率为75%以上;
(5)上述(1)所述的透明电极基板,其中,所述透明导电层为以氧化铟作为主成分的层;
(6)上述(1)所述的透明电极基板,其中,所述导电金属网状层为由选自金、银、铜、铂、铝、镍和铬中的至少一种金属形成的层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的