[发明专利]吸收测量系统

权利要求书

1.一种吸收测量系统，用于测量在介质吸收行为中反映的、介质的至少一种性质，特别是诸如介质吸收系数(μ)的性质，包括：

-在测量操作中填充有介质的测量腔室(1)；

--在所述测量腔室中，能够被用作测量路径(M)并且具有不同长度(L)的可辐射光路完全地穿过介质延伸；

-在测量操作中穿过测量腔室(1)沿着测量路径(M)发射辐射的发射单元(3)；

-测量和接收单元(5)，

--所述测量和接收单元接收在测量路径(M)上穿过测量腔室(1)的辐射并且测量其依赖于介质性质和测量路径长度(L)的辐射强度(I)；和

-基于测量辐射强度(I)和测量路径(M)的长度(L)来确定所述性质的测量电子设备(7)。

2.根据权利要求1的吸收测量系统，其中

所述测量腔室(1)在被所述发射单元(3)照射的平面中具有楔体形截面区域，在所述区域中，对应于所述楔体形状的开口角度(α)，沿着垂直于所述发射单元(3)的主发射方向延伸的轴线，光路的长度(L)连续地升高。

3.根据权利要求1的吸收测量系统，其中

所述测量腔室(1)在被所述发射单元照射的平面中具有阶形截面区域，在所述区域中，沿着垂直于所述发射单元(3)的主发射方向延伸的轴线，光路的长度(L)逐步地升高。

4.根据权利要求1的吸收测量系统，其中

所述测量腔室(1)具有来自所述发射系统(3)的辐射穿过其进入所述测量腔室(1)中的进口表面(E)，和，辐射穿过其从所述测量腔室(1)泄露的出口表面(O)，并且

所述进口表面(E)和/或所述出口表面(O)是弯曲区域、特别地为凸形或者凹形区域。

5.根据权利要求1的吸收测量系统，其中

所述测量腔室(1)，特别是它的进口或者出口表面(E，O)具有一定几何形状，所述几何形状具有光学或者机械功能。

6.根据权利要求1的吸收测量系统，其中

-所述测量路径(M)是依赖于在其中将对吸收进行测量的测量范围的光路的预定选择；并且

-所述测量和接收单元(5)测量在选定的所述测量路径(M)上排他地穿过测量腔室(1)的辐射的辐射强度(I)，其中，所述辐射强度依赖于在所述介质中的吸收和测量路径的长度(L)。

7.根据权利要求1或者6的吸收测量系统，其中

-受限测量范围被预定；并且

-从光路中选择的所述测量路径(M)是由于它们的长度(L)而在这个受限测量范围中实现了测量的高准确度的那些光路。

8.根据权利要求1的吸收测量系统，其中

-为了实现最大测量范围，全部的光路均被选择为测量路径(M)；并且

-基于通过所述测量和接收单元(5)进行的，来自全部测量路径(M)的全部辐射强度(I)来确定所述性质。

9.根据权利要求8的吸收测量系统，其中

-在吸收测量系统中存储了特性曲线，所述特性曲线描述，对于所述测量腔室(1)和由测量路径的长度(L)预定的特性，碰撞(impinging)在所述测量和接收单元(5)上的辐射强度(I)，或者碰撞辐射强度(I)与发射辐射强度(I₀)的比率关于可测量吸收系数(μ)的非线性依赖性；并且

-基于由所述测量和接收单元(5)测量的入射辐射强度(I)，并且基于所述特性曲线来确定在测量操作中位于所述测量腔室(1)中的介质的吸收系数(μ)。

10.根据权利要求1、6或者7的吸收测量系统，其中

-可控孔隙(17)系统被插入测量腔室(1)外侧的光路中，并且，

-通过控制所述孔隙(17)，穿过打开孔隙(17)或者打开孔隙(17)中的每一个而延伸的测量路径(M1，M2，M3)集合是可选择的。

11.根据权利要求1、6或者7的吸收测量系统，其中

所述测量和接收单元(5)包括被排列成行或者阵列的、单独的探测器(19)，特别是二极管或者CCD，并且经由这些探测器，参考所述探测器(19)的位置，来进行对入射辐射强度(I)的分离的测量。