[发明专利]机匣处理系统

权利要求书

1.一种机匣处理系统，其特征在于，包括：

至少一个等离子体激励器，以非轴对称方式布置在压气机机匣外围，压气机机匣内侧动叶的上方，用于产生等离子体，加速其附近的空气。

2.根据权利要求1所述的机匣处理系统，其特征在于，所述等离子体激励器的数目为n，其中，1≤n≤100。

3.根据权利要求2所述的机匣处理系统，其特征在于，

n＝1，所述1个等离子体激励器包围压气机机匣的角度小于360°；或

2≤n≤100，所述n个等离子体激励器两两之间有缺口。

4.根据权利要求1所述的机匣处理系统，其特征在于，所述等离子体激励器包括：

绝缘层，以非轴对称方式布置在压气机机匣外围；

至少一条掩埋电极，掩埋于所述绝缘层外侧，与高压电源中高压端或接地端中的一端相连接；

至少一条裸露电极，裸露于所述绝缘层内侧，与高压电源中与所述一端相对应的另一端相连接。

5.根据权利要求4所述的机匣处理系统，其特征在于，所述绝缘层的材料为聚四氟乙烯、电木、陶瓷或石英玻璃；所述掩埋电极和裸露电极的材料为铜、钼或钨。

6.根据权利要求4所述的机匣处理系统，其特征在于，

所述掩埋电极和裸露电极宽度为1～50mm，裸露电极和掩埋电极的水平方向间距为0～10mm。

7.根据权利要求4所述的机匣处理系统，其特征在于，当所述裸露电极有多条时，裸露电极和裸露电极之间的间距为1～100mm。

8.根据权利要求4所述的机匣处理系统，其特征在于，对于所述高压电源的高压端，电压为1-30kV，频率为100-500kHz。

9.根据权利要求1所述的机匣处理系统，其特征在于，所述的等离子体激励器布置方式为周向电极、轴向电极、曲折电极，或者是这些方式的组合。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的机匣处理系统，其特征在于，还包括：

入口流量测量装置，设置于所述压气机的气流入口，用于测量气流的入口流量；

出口压力测量装置，设置于所述压气机的气流出口，用于测量气流的出口压力；

压气机转速测量装置，用于测量所述压气机的转速；

高压交流电源，与所述等离子体激励器相连接，用于为所述等离子体激励器提供能量；

数据采集与控制装置，用于预存不同转速下所述压气机的特征曲线；由所述入口流量、出口压力和所述压气机转速和特征曲线，判断所述压气机的状态，如果所述压气机出现失速，控制所述高压交流电源为所述等离子体激励器提供的激励电压。

11.根据权利要求10所述的机匣处理系统，其特征在于，还包括壁面测温装置；

所述壁面测温装置，设置于所述等离子体激励器下游，用于测量压气机机匣的壁面温度；

所述数据采集与控制装置，与所述壁面测温装置相连接，还用于根据所述压气机机匣的壁面温度与预设温度的关系，降低/升高所述高压交流电源为所述等离子体激励器提供的激励电压。