[发明专利]具有宽视角的发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

一基板；

多个柱状结构，形成于该基板上，每一该柱状结构中均包括一第一型半导体层、一作用层、与一第二型半导体层，其中该第一型半导体层形成于该基板上，且该些柱状结构利用该第一型半导体层达成电气的连接关系；

一填充结构，形成于该些柱状结构之间；

一透明导电层，覆盖于该填充结构与该些柱状结构中该第二型半导体层所形成的一表面上；

一第一电极接触于该透明导电层；以及

一第二电极接触于该第一型半导体层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该第一型半导体层与该第二型半导体层为一N型层与一P型层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该些柱状结构的宽度介于λ/2与20μm之间，该些柱状结构的高度介于0与2μm之间，其中λ为该发光二极管的一光波长。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该填充结构包括：

一表面钝化层，形成于该些柱状结构之间的侧壁与该第一型半导体层的一表面上；以及

一电气隔离层，形成于该表面钝化层之间。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，该表面钝化层为(Al_xIn_yGa_z)_2-δO₃的一第一介电材质，且x+y+z＝1，0≤δ＜1。

6.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，该电气隔离层为SiO₂、HfO₂、Al₂O₃、Si₃N₄、或者Ta₂O₅的一第二介电材质。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该透明导电层为ITO、In₂O₃、Sn₂O₃、ZnO、或者NiO_x的一第三介电材质，其中0＜x≤1。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该透明导电层为具有一次微米二维曲面结构的透明导电层。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，该次微米二维曲面结构的高度介于0至1μm之间，宽度介于0至300nm之间。

10.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一基板；

于该基板上依序形成一第一型半导体层、一作用层、与一第二型半导体层；

利用微影蚀刻工艺，于该基板上形成多个柱状结构，每一该柱状结构中均包括该第一型半导体层、该作用层、与该第二型半导体层，其中，该些柱状结构是利用该第一型半导体层达成电气的连接关系；

形成一填充结构于该些柱状结构之间；

形成一透明导电层，覆盖于该填充结构与该些柱状结构中该第二型半导体层所形成的一表面上；

形成一第一电极接触于该透明导电层；以及

形成一第二电极接触于该第一型半导体层。

11.根据权利要求10所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该第一型半导体层与该第二型半导体层为一N型层与一P型层。

12.根据权利要求10所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该些柱状结构的宽度介于λ/2与20μm之间，该些柱状结构的高度介于0与2μm之间，其中λ为该发光二极管的一光波长。

13.根据权利要求10所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，形成该填充结构还包括：

形成一表面钝化层于该些柱状结构之间的侧壁与该第一型半导体层的一表面上；以及

填充一电气隔离层于该些表面钝化层之间。