[发明专利]SOI硅片及其制造方法、浮体效应存储器件无效
| 申请号： | 201110392795.1 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102446929A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762;H01L21/265 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂宁乐;向勇 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 硅片 及其 制造 方法 效应 存储 器件 | ||
1.一种SOI硅片，用于浮体效应存储器件，该SOI硅片的特征在于，包括：
底层硅，
氧埋层，其形成在所述底层硅上，并且含有氮离子，
衬底，其形成在所述氧埋层上；
在所述氧埋层中，在所述氧埋层与所述衬底之间的边界附近具有由所述氮离子形成的界面悬挂键。
2.一种浮体效应存储器件用的SOI硅片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步骤，对硅片进行氧离子注入，由此使硅片分层为底层硅、硅的氧化物沉淀层、衬底，
第二步骤，在氧气氛环境下对所述硅片进行超高温退火，由此形成氧埋层；
在所述第一步骤中，在对所述硅片进行氧离子注入的同时，还对所述硅片进行氮离子注入，由此在所述硅的氧化物沉淀层中掺杂规定量的氮离子。
3.如权利要求2所述的浮体效应存储器件用的SOI硅片的制造方法，其特征在于，
在所述第一步骤中，对所述硅片进行氧离子注入的层间高剂量范围为1E17/cm2～5E18/cm2。
4.如权利要求2所述的浮体效应存储器件用的SOI硅片的制造方法，其特征在于，
在所述第一步骤中，所注入的氮离子的注入剂量的范围为1E15/cm2～5E16/cm2。
5.如权利要求2～4中任意一项所述的浮体效应存储器件用的SOI硅片的制造方法，其特征在于，
在所述第二步骤中，所述超高温退火的温度范围为摄氏1200～1300度。
6.如权利要求2～4中任意一项所述的浮体效应存储器件用的SOI硅片的制造方法，其特征在于，
在所述第一步骤中，所注入的氮离子的注入深度与所注入的氧离子匹配。
7.一种使用如权利要求1所述的SOI硅片制造的浮体效应存储器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
