[发明专利]一种悬浮结构MEMS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110392138.7 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103130177A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 欧毅;王文武;陈大鹏;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 悬浮 结构 mems 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种悬浮结构MEMS器件的制作方法，包括：
a)提供半导体衬底(100)，在所述半导体衬底(100)上形成牺牲层(200)；
b)形成穿透所述牺牲层的隔离槽，围绕要形成悬浮结构MEMS器件的区域；
c)形成阻挡层(400)覆盖隔离槽的侧壁；
d)去除要形成悬浮结构MEMS器件的区域中的牺牲层(200)。
2.根据权利要求1的方法，其中所述阻挡层(400)为氮化硅。
3.根据权利要求1的方法，其中隔离槽的宽度为80μm～120μm。
4.根据权利要求1的方法，其中所述阻挡层(400)覆盖隔离槽的侧壁和底部，并且覆盖要形成悬浮结构MEMS器件的区域的牺牲层(200)。
5.根据权利要求4的方法，其中步骤d)包括在覆盖要形成悬浮结构MEMS器件的区域的牺牲层(200)的阻挡层(400)上形成开口，并通过所述开口去除所述牺牲层。
6.根据权利要求1的方法，其中所述阻挡层(400)的厚度为1.2μm～1.5μm。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层(200)为氧化硅，去除所述牺牲层包括用氢氟酸去除所述牺牲层(200)。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离槽深度为1.2μm～1.5μm。
9.根据权利要求1～8任一项所述的方法，其特征在于，所述牺牲层(200)的厚度为1.1μm～1.2μm。
10.一种悬浮结构MEMS器件，包括围绕所述悬浮结构的隔离槽，其中所述隔离槽侧壁上具有阻挡层(400)。
11.根据权利要求10所述的器件，其中所述阻挡层(400)为氮化硅。
12.根据权利要求10所述的器件，其中隔离槽的宽度为80μm～120μm。
13.根据权利要求10所述的器件，其中所述阻挡层(400)构成所述悬浮结构的一部分。
14.根据权利要求10所述的器件，其中所述隔离槽深度为1.2μm～1.5μm。
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