[发明专利]检测读取速度受到干扰的方法和检测编程干扰的方法

权利要求书

1.一种检测读取速度受到干扰的方法，其特征在于，包括：

选通被读取存储单元的字线；选通存储阵列的至少三根连续位线，其中

在所述被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压，另一根位线施加第二读取电压，所述第二读取电压高于第一读取电压；

测量与所述被读取存储单元施加第一读取电压的位线相邻的位线的电压；

计算流过与所述被读取存储单元相邻的存储单元的泄露电流，所述相邻的存储单元与所述被读取存储单元共用施加第一读取电压的位线；

判断所述泄露电流是否大于预设电流值，如果是，信息读取速度受到所述泄露电流干扰；如果否，信息读取速度不受所述泄露电流干扰。

2.根据权利要求1所述的检测读取速度受到干扰的方法，其特征在于，所述测量与所述被读取存储单元施加第一读取电压的位线相邻的位线的电压为：

与NMOS晶体管栅极连接的高压产生器产生开启电压，所述开启电压开启NMOS晶体管；

与所述NMOS晶体管源极连接的测试终端测量通过位线选通装置与所述NMOS晶体管漏极选通的位线的电压。

3.根据权利要求1或2所述的检测读取速度受到干扰的方法，其特征在于，选通存储阵列的至少四根连续位线，所述至少四根连续位线中，与所述被读取存储单元施加第二读取电压的位线相邻的至少一根连续位线施加与所述第二读取电压相等的电压。

4.根据权利要求3所述的检测读取速度受到干扰的方法，其特征在于，所述与所述被读取存储单元施加第二读取电压的位线相邻至少一根连续位线施加与所述第二读取电压相等的电压为：

所述高电压从运算放大器的同相输入端输入，经过运算放大器运算后为连接在运算放大器的输出端的所述位线施加与所述高电压相等的电压，所述运算放大器的反相输入端连接在输出端。

5.根据权利要求1或2所述的检测读取速度受到干扰的方法，其特征在于，所述在所述被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压为：

控制信号控制源极接地的MOS晶体管的源极和漏极导通为连接在漏极的被读取存储单元的位线施加低电压。

6.根据权利要求1或2所述的检测读取速度受到干扰的方法，其特征在于，所述选通存储阵列的至少三根连续位线为：

多个选通控制信号控制多个MOS晶体管导通，其中，一个选通控制信号控制一个MOS晶体管的源极和漏极导通，使连接在一个MOS晶体管的源极的位线施加MOS晶体管漏极的所述第一读取电压或第二读取电压。

7.根据权利要求1或2所述的检测读取速度受到干扰的方法，其特征在于，所述在所述被读取存储单元的另一根位线施加第二读取电压具体为：

输入电压经过包括2个PMOS晶体管的电流镜的一支后被电压钳位电路将电压钳位为所述第二读取电压，并将所述第二读取电压施加在所述被读取存储单元的另一根位线。

8.一种检测编程干扰的方法，其特征在于，包括：

选通被编程存储单元的字线；选通存储阵列的至少三根连续位线，其中

在所述被编程存储单元的一根位线施加第一编程电压，另一根位线施加第二编程电压；

测量与所述被编程存储单元施加第一编程电压的位线相邻的位线的电压；

计算流过与所述被编程存储单元相邻的存储单元的泄露电流，所述相邻的存储单元与所述被编程存储单元共用施加第一编程电压的位线；

判断所述泄露电流是否大于预设电流值，如果是，所述相邻的存储单元中存储信息受到编程干扰；如果否，所述相邻的存储单元中存储信息不受编程干扰。

9.根据权利要求8所述的检测编程干扰的方法，其特征在于，所述测量与所述被编程存储单元施加第一编程电压的位线相邻的位线的电压为：

与NMOS晶体管栅极连接的高压产生器产生开启电压开启NMOS晶体管；

与所述NMOS晶体管源极连接的测试终端测量通过位线选通装置与所述NMOS晶体管漏极选通的位线的电压。

10.根据权利要求8或9所述的检测编程干扰的方法，其特征在于，选通存储阵列的至少四根连续位线，所述至少四根连续位线中，与所述被编程存储单元施加第二编程电压的位线相邻至少一根连续位线施加与所述第二编程电压相等的电压。