[发明专利]硅纳米线的制造方法有效
| 申请号： | 201110391240.5 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102437064A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 曹永峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;G03F7/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 制造 方法 | ||
1.一种硅纳米线的制造方法，其特征在于，包括：
提供压印模板，所述压印模板上构建有源/漏极区以及硅纳米线布局的图形；
使用所述压印模板形成所述硅纳米线探测单元中的硅纳米线。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供压印模板的步骤包括：利用互补金属氧化物图形化工艺在硅片上形成所述压印模板。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用所述压印模板形成所述硅纳米线探测单元中的硅纳米线的步骤包括：
在硅衬底上生成二氧化硅层，在所述二氧化硅层上沉积多晶硅层，并在所述多晶硅层旋涂光刻胶层；
利用所述压印模板压印所述光刻胶层，同时实施烘焙工艺，以在所述多晶硅层表面上压印出第一光刻胶层以及与所述源/漏极区以及硅纳米线布局的图形对应的第二光刻胶层，然后取走所述压印模板；
利用所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层蚀刻掉与所述源/漏极区以及硅纳米线布局的图形对应的多晶硅层之外的多晶硅层；
剥离与所述源/漏极区以及硅纳米线布局的图形对应的第二光刻胶层，形成所述硅纳米线探测单元中的硅纳米线。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，利用所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层蚀刻掉与所述源/漏极区以及硅纳米线布局的图形对应的多晶硅层之外的多晶硅层的步骤包括：
蚀刻掉所述第一光刻胶层；
利用所述第二光刻胶层蚀刻掉与所述源/漏极区以及硅纳米线布局的图形对应的多晶硅层之外的多晶硅层。
5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述旋涂的光刻胶层的厚度比所述源/漏极区以及硅纳米线布局的图形的厚度厚15纳米到25纳米。
6.根据权利要求3-5任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述源/漏极区以及硅纳米线布局的图形的厚度介于100纳米到140纳米之间。
7.根据权利要求3-5任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述旋涂的光刻胶层的厚度为115纳米到165纳米。
8.根据权利要求3-5任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度介于15纳米到25纳米之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
