[发明专利]一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法无效
申请号: | 201110391156.3 | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN102437031A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 李辛毅;韩培德;毛雪;胡少旭;王帅;范玉杰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 激光 掺杂 中间 材料 制备 方法 | ||
1.一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,其特征在于,该方法包括:
在硅衬底表层蒸镀钛薄膜;以及
采用超快激光辐照蒸镀有钛薄膜的硅材料表层。
2.根据权利要求1所述的基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,其特征在于,所述在硅衬底表层蒸镀钛薄膜是采用电阻热蒸发或电子束热蒸发实现的。
3.根据权利要求1所述的基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,其特征在于,所述钛薄膜的厚度介于几个纳米到几十个纳米之间。
4.根据权利要求1所述的基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,其特征在于,所述采用超快激光辐照蒸镀有钛薄膜的硅材料表层的步骤中,超快激光的脉冲宽度、波长及能量是根据钛材料和硅衬底材料对不同波长的超快激光的吸收系数、晶格重组恢复速度及材料凝固速度所计算得到的。
5.根据权利要求4所述的基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,其特征在于,所述超快激光为脉冲宽度为10ns的纳秒激光、脉冲宽度为20ns的皮秒激光或脉冲宽度为30ns的飞秒激光。
6.根据权利要求5所述的基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,其特征在于,所述纳秒激光的波长为266nm,能量为0.6J/cm2;皮秒激光的波长为532nm,能量为0.8J/cm2;飞秒激光的波长为1064nm,能量为1.4J/cm2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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