[发明专利]一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法无效

专利信息
申请号: 201110390457.4 申请日: 2011-12-01
公开(公告)号: CN102425007A 公开(公告)日: 2012-04-25
发明(设计)人: 陶斯禄;蒋一岚;周春 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C30B29/02 分类号: C30B29/02;C30B29/64;C30B7/14;B82Y40/00
代理公司: 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 代理人: 成实
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅片 表面 制备 纳米 晶体 方法
【权利要求书】:

1.一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)在硅片表面制备含有醛基的物质的种子层;

(2)利用硅片表面的种子层进行银镜反应;

(3)将银镜反应后的硅片冲洗之后自然晾干,得到银纳米晶体。

2.根据权利要求1所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤(1)的具体方法包括:

(1a)先对硅片表面进行清洗,再进行干燥;

(1b)将干燥后的硅片置于培养皿中,利用葡萄糖乙醇溶液制作种子层。

3.根据权利要求2所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤a中对硅片表面进行清洗的具体方法为:

先用有洗涤剂的无尘布搓洗硅片表面,然后将硅片放入氢氟酸溶液中浸泡,再用洗涤剂进行超声震荡清洗,然后用去离子水进行超声震荡清洗,然后用丙酮进行超声震荡清洗,最后用乙醇进行超声震荡清洗。

4.根据权利要求3所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤a中将硅片放入氢氟酸溶液中浸泡具体是指将硅片放入浓度为4%的氢氟酸溶液中浸泡5min。

5.根据权利要求4所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤a中先用洗涤剂进行超声震荡清洗、然后用去离子水进行超声震荡清洗、然后用丙酮进行超声震荡清洗、最后用乙醇进行超声震荡清洗的时间分别为15分钟。

6.根据权利要求5所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤a中干燥的设备为电热恒温鼓风干燥箱。

7.根据权利要求6所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤b中利用葡萄糖乙醇溶液制作种子层的方法为以下两种之一:

第一种:将葡萄糖乙醇溶液滴在硅片表面,并使其完全浸润硅片表面,之后让其自然晾干,或者再重复一次上述过程;

第二种:将葡萄糖乙醇溶液滴在硅片表面,几秒钟之后用无水乙醇冲洗再用电吹风吹干,并重复上述过程至少一次。

8.根据权利要求1~7中任意一项所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤(2)中利用硅片表面的种子层进行银镜反应的具体方法如下:

(2a)配置银氨溶液; 

(2b)将制作好的含有种子层的硅片放入已配置好的银氨溶液中,并于0-50℃水浴加热5-90分钟。

9.根据权利要求8所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤(2a)的具体方法如下:

取质量分数为2%的硝酸银溶液于洁净的烧杯中,加入质量分数为2%的氢氧化钠溶液,然后逐滴加入体积分数为2%的氨水,直到沉淀消失、溶液澄清为止。

10.根据权利要求9所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤(3)对银镜反应后的硅片进行冲洗的洗涤液为去离子水。

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