[发明专利]一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法无效
| 申请号: | 201110390457.4 | 申请日: | 2011-12-01 |
| 公开(公告)号: | CN102425007A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
| 发明(设计)人: | 陶斯禄;蒋一岚;周春 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | C30B29/02 | 分类号: | C30B29/02;C30B29/64;C30B7/14;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 成实 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 表面 制备 纳米 晶体 方法 | ||
1.一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在硅片表面制备含有醛基的物质的种子层;
(2)利用硅片表面的种子层进行银镜反应;
(3)将银镜反应后的硅片冲洗之后自然晾干,得到银纳米晶体。
2.根据权利要求1所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤(1)的具体方法包括:
(1a)先对硅片表面进行清洗,再进行干燥;
(1b)将干燥后的硅片置于培养皿中,利用葡萄糖乙醇溶液制作种子层。
3.根据权利要求2所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤a中对硅片表面进行清洗的具体方法为:
先用有洗涤剂的无尘布搓洗硅片表面,然后将硅片放入氢氟酸溶液中浸泡,再用洗涤剂进行超声震荡清洗,然后用去离子水进行超声震荡清洗,然后用丙酮进行超声震荡清洗,最后用乙醇进行超声震荡清洗。
4.根据权利要求3所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤a中将硅片放入氢氟酸溶液中浸泡具体是指将硅片放入浓度为4%的氢氟酸溶液中浸泡5min。
5.根据权利要求4所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤a中先用洗涤剂进行超声震荡清洗、然后用去离子水进行超声震荡清洗、然后用丙酮进行超声震荡清洗、最后用乙醇进行超声震荡清洗的时间分别为15分钟。
6.根据权利要求5所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤a中干燥的设备为电热恒温鼓风干燥箱。
7.根据权利要求6所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤b中利用葡萄糖乙醇溶液制作种子层的方法为以下两种之一:
第一种:将葡萄糖乙醇溶液滴在硅片表面,并使其完全浸润硅片表面,之后让其自然晾干,或者再重复一次上述过程;
第二种:将葡萄糖乙醇溶液滴在硅片表面,几秒钟之后用无水乙醇冲洗再用电吹风吹干,并重复上述过程至少一次。
8.根据权利要求1~7中任意一项所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤(2)中利用硅片表面的种子层进行银镜反应的具体方法如下:
(2a)配置银氨溶液;
(2b)将制作好的含有种子层的硅片放入已配置好的银氨溶液中,并于0-50℃水浴加热5-90分钟。
9.根据权利要求8所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤(2a)的具体方法如下:
取质量分数为2%的硝酸银溶液于洁净的烧杯中,加入质量分数为2%的氢氧化钠溶液,然后逐滴加入体积分数为2%的氨水,直到沉淀消失、溶液澄清为止。
10.根据权利要求9所述的一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法,其特征在于,所述步骤(3)对银镜反应后的硅片进行冲洗的洗涤液为去离子水。
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