[发明专利]自举预充电的快速限幅字线偏置电路

说明书

技术领域

本发明涉及存储器电路技术领域，特别涉及一种自举预充电的快速限幅字线偏置电路。 

背景技术

字线偏置电路是存储器电路中对字线提供稳定电压偏置的电路。传统偏置电路由一个稳定电压控制输出管，使能信号控制输出支路的关断或开启，开启时输出管增强输出支路电流输出能力，从而达到给负载提供预定偏置的作用。常规字线偏置采用一个偏置电路提供基准电压，并通过源级跟随的输出结构来提高负载能力。但该结构的输出能力有限，不能满足偏置电路快速启动的要求， 

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种能安全快速预充的自举预充电的快速限幅字线偏置电路。 

根据本发明的一个方面，提供一种自举预充电的快速限幅字线偏置电路包括基准电压产生电路、提供初始置位电位的静态钳位电路、接收使能信号的预充控制信号产生电路、提供电压Vboost的boost电压产生电路、作为输出管的NMOS管M1、接收使能信号的使能控制PMOS管M2、预充控制NMOS管M3、接地的开关NMOS管M4，电容Cb及反相器I5； 

所述基准电压产生电路分别与所述电容Cb和所述NMOS管M1的栅极连接； 

所述预充控制信号产生电路的输出端与所述预充控制NMOS管M3的 栅极连接，还通过反相器I5与所述接地的开关NMOS管M4的栅极连接；所述预充控制NMOS管M3的源极与所述boost电压产生电路连接； 

所述电容Cb一端连接在所述基准电压产生电路和所述NMOS管M1的栅极之间，另一端分别与所述接地的开关NMOS管M4的漏极与所述预充控制NMOS管M3的漏极连接； 

所述NMOS管M1的漏极与所述使能控制PMOS管M2的漏极连接，源极与所述静态钳位电路连接；所述NMOS管M1的漏极和所述静态钳位电路之间设置有上电后输出电位； 

所述使能控制PMOS管M2的源极接电源VDD。 

进一步地，所述基准电压产生电路包括电流源I1和电阻R1；所述电流源I1通过所述电阻R1接地，所述NMOS管M1的栅极和所述电容Cb分别与所述电流源I1和所述电阻R1并联。 

进一步地，所述静态钳位电路包括二极管I6、I7；所述二极管I7一端接地，另一端通过所述二极管I6与所述NMOS管M1的源极连接。 

进一步地，所述预充控制信号产生电路包括反相器I2、I3，与非门I4，电容C1； 

所述反相器I2分别与所述与非门I4的一输入端、所述反相器I3并联；所述I3分别与所述与非门I4的另一输入端、所述电容C1并联；所述电容C1接地；所述与非门I4的输出端分别与所述预充控制NMOS管M3的栅极、所述反相器I5连接。 

进一步地，所述boost电压产生电路包括PMOS管M5和电流源I2； 

所述PMOS管M5的栅极和漏极相连； 

所述PMOS管M5的栅极和漏极分别与所述电流源I2和所述预充控制NMOS管M3的源极连接；所述电流源I2接地；所述PMOS管M5的源极与电源VDD相连。 

本发明提供的自举预充电的快速限幅字线偏置电路用预充控制信号产 生电路控制预充控制管M3，用电容Cb将boost电压产生电路产生的电压Vboost加载到输出NMOS管M1的栅极，可快速将负载从静态钳位电路给定的基准电压升高到预定的电压值，且由于采用的限幅预充，防止了过充电情况的产生。 

附图说明

图1为本发明实施例提供的自举预充电的快速限幅字线偏置电路的结构框图； 

图2为本发明实施例提供的自举预充电的快速限幅字线偏置电路的电路原理示意图。 

图3为图2所示电路中主要信号的波形示意图，其中，ENb为使能信号，PC为脉冲信号，VB为B点的电压信号，VA为A点的电压信号。 

具体实施方式