[发明专利]用于驱动共源共栅开关的系统和方法有效
| 申请号: | 201110389574.9 | 申请日: | 2011-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN102480216A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
| 发明(设计)人: | D.德拉克塞尔迈尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M3/335 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;卢江 |
| 地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 驱动 共源共栅 开关 系统 方法 | ||
1.一种驱动开关的方法,所述方法包括:
感测第一开关的控制节点;
感测第二开关的控制节点;
基于感测所述第二开关的所述控制节点,在所述第二开关的所述控制节点转变成第二活动状态之后将所述第一开关的所述控制节点驱动成第一活动状态;并且
基于感测所述第一开关的所述控制节点,在所述第一开关的所述控制节点转变成第一不活动状态之后将所述第二开关的所述控制节点驱动成第二不活动状态。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
基于逻辑输入将所述第二开关的所述控制节点驱动成所述第二活动状态;并且
基于所述逻辑输入将所述第一开关的所述控制节点驱动成所述第一不活动状态。
3.根据权利要求1所述的方法,其中:
驱动所述第一开关的所述控制节点包括驱动JFET的栅极;并且
驱动所述第二开关的所述控制节点包括驱动与所述JFET串联耦合的MOSFET的栅极。
4.根据权利要求3所述的方法,还包括操作开关模式电源中的所述JFET和所述MOSFET。
5.根据权利要求1所述的方法,其中感测所述第一开关的所述控制节点包括:
通过串联晶体管对所述第一开关的所述控制节点的电压进行采样;并且
当所述第一开关的所述控制节点从所述第一活动状态转变成所述第一不活动状态时改变锁存器的状态。
6.根据权利要求5所述的方法,还包括:
当所述第一输出驱动器从所述第一不活动状态转变成所述第一活动状态时复位所述锁存器并且关断所述串联晶体管。
7.根据权利要求5所述的方法,其中:
所述锁存器包括前向反相器和反馈反相器;并且
所述反馈反相器包括弱晶体管。
8.一种用于驱动开关的电路,所述开关包括与MOSFET串联的JFET,其中:
所述电路包括控制器,所述控制器通过在通过感测所述MOSFET的栅极电压来接通所述MOSFET之后接通所述JFET并且在通过感测所述JFET的栅极电压来关断所述JFET之后关断所述MOSFET而将所述MOSFET和所述JFET一起操作。
9.根据权利要求8所述的电路,其中所述控制器包括:
第一逻辑门,包括耦合到电路输入信号的第一输入;
第一门控制器电路,包括:
门控制器输入,耦合到所述第一逻辑门的输出,
门控制节点,以及
逻辑控制输出节点;
第二逻辑门,在第一输入处耦合到所述电路输入信号并且在第二输入处耦合到所述第一门控制器的所述输出节点;以及
第二门控制器,包括:
门控制器输入,耦合到所述第二逻辑门的输出,
门控制节点,以及
逻辑输出节点,耦合到所述第一逻辑门的第二输入。
10.根据权利要求9所述的电路,其中:
所述第一逻辑门包括与门;
所述第二逻辑门包括与门;并且
所述电路还包括耦合于所述第一逻辑门的所述第一输入与所述第二逻辑门的所述第一输入之间的反相器。
11.根据权利要求9所述的电路,其中所述第一门控制器和所述第二门控制器每个包括:
晶体管网络,耦合于所述门控制器输入与所述门控制节点之间;以及
锁存器,耦合于所述晶体管网络与所述逻辑输出节点之间。
12.根据权利要求11所述的电路,其中所述晶体管网络包括:第一晶体管,包括耦合到电源节点的控制节点、耦合到所述门控制节点的第一输出和与所述锁存器的所述输入耦合的第二输出。
13.根据权利要求12所述的电路,还包括:第二晶体管,包括耦合到所述门控制器输入的控制节点、耦合到电源节点的第一输出和与所述锁存器的输入耦合的第二输出。
14.根据权利要求12所述的电路,其中所述第一晶体管包括高电压器件。
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