[发明专利]线切割晶体激光仪定向切割方法有效

专利信息
申请号: 201110389565.X 申请日: 2011-11-30
公开(公告)号: CN102490278A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 陈屹立;荆旭华 申请(专利权)人: 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
主分类号: B28D5/04 分类号: B28D5/04
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 钱成岑;吴彦峰
地址: 614200 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 切割 晶体 激光 定向 方法
【权利要求书】:

1.一种线切割晶体激光仪定向切割方法,其特征在于步骤依次包括:

A)将激光定向仪Y轴方向调节为0°;

B) 将晶体端面经碱腐蚀处理的晶体旋转,使晶体端面光反射图像的花瓣中心点坐落在激光定向仪光屏的X轴上;

C) 在晶体端面画一过中心的垂线,以其为粘接轴Z;

D) 从激光仪上读取需调整的晶向偏离度α,标记该偏离度α及其左右偏离方向;

E) 设一水平直线为标准线,保持粘接轴Z竖直方向,且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧,调整晶体中轴线与标准线水平夹角为α,固定晶体并按标准线方向上机切割。

2.如权利要求1所述的线切割晶体激光仪定向切割方法,其特征在于:所述D步具体为:从激光仪上读取需调整的晶向偏离度α,在晶体端面中心处作一水平半径线,按照左右偏离方向将其画在粘接轴Z左侧或右侧,并写上偏离度α。

3.如权利要求1或2所述的线切割晶体激光仪定向切割方法,其特征在于:所述E步具体为:首先将晶体按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层上,晶体中轴线与切透层长边平行,然后在长方体金属托板顶端以其长边为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度α,画一直线标记,再将粘接好的晶体其切透层长边沿此直线标记粘接在金属托板上,之后即可上机切割。

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