[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；和

形成在所述衬底顶面的多个锯齿结构，所述锯齿结构具有第一长边和第一短边，所述两个相邻的锯齿结构的第一长边与第一短边相邻，且所述第一长边限定有所述锯齿结构的第一表面，所述短边限定有所述锯齿结构的第二表面，其中，所述第一表面为生长化合物半导体材料的生长面，所述第二表面覆盖有掩膜材料以阻挡所述化合物半导体材料在所述第二表面的生长。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述锯齿结构为多孔结构，且所述多孔结构的表面为在含氢气氛中退火形成的平面。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个锯齿结构通过纳米压印形成。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底为硅衬底，且所述衬底表面的晶面为{110}、{111}、{001}、{211}、{311}、{337}、{5512}晶面族中的一个晶面，所述第一表面的晶面为{111}、{110}晶面族中的一个晶面。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，且

所述衬底表面的晶面为晶面族中的一个晶面，所述第一表面的晶面为(0001)晶面，或者

所述衬底表面的晶面为晶面族中的一个晶面，所述第一表面的晶面为晶面族中的一个晶面。

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供模具，其中，所述模具具有与多个锯齿结构相匹配的图形，其中，所述锯齿结构具有第一长边和第一短边，所述两个相邻的锯齿结构的第一长边与第一短边相邻，且所述第一长边限定有所述锯齿结构的第一表面，所述第一短边限定有所述锯齿结构的第二表面；

提供衬底，在所述衬底之上形成感光或热感应材料层；

将所述感光或热感应材料层与所述模具压合以使所述感光或热感应材料层填充至所述模具的图形之中；

进行照射或加热以对所述感光或热感应材料层进行定型以在所述衬底顶部形成具有图形的掩膜层；

对所述具有图形的掩膜层和所述衬底进行刻蚀以形成多个锯齿结构；

在所述第二表面上覆盖掩膜材料；以及

将所述第一表面作为生长面，在所述第一表面上生长化合物半导体材料。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化合物半导体材料包括氮化物系半导体材料。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一表面上生长的化合物半导体材料垂直于所述第一表面的高度不高于所述第一短边的长度，以在每个所述第一表面形成相互独立的化合物半导体材料；或者

在所述第一表面上生长的化合物半导体材料垂直于所述第一表面的高度高于所述第一短边的长度以使相邻的所述锯齿结构在第一表面上生长的化合物半导体材料能够相互连接以形成整体的化合物半导体材料层。

9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述多个锯齿结构之后，还包括：

对所述多个锯齿结构进行阳极氧化以形成多孔结构；

在氢中对所述多孔结构进行退火以在所述多孔结构的表面形成平面。

10.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，且所述衬底表面的晶面为{110}、{111}、{001}、{211}、{311}、{337}、{5512}晶面族中的一个晶面，所述第一表面的晶面为{111}、{110}晶面族中的一个晶面。

11.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，且

所述衬底表面的晶面为晶面族中的一个晶面，所述第一表面的晶面为(0001)晶面，或者

所述衬底表面的晶面为晶面族中的一个晶面，所述第一表面的晶面为晶面族中的一个晶面。