[发明专利]半导体晶片蚀刻设备

权利要求书

1.一种半导体晶片蚀刻设备，其特征在于：设有供料装置、收料装置、蚀刻装置、控制装置和若干伺服机械手，所述供料装置包括用于放置蚀刻前晶片的供料晶片篮，所述收料装置包括用于放置蚀刻后晶片的收料晶片篮，所述控制装置控制所述半导体晶片蚀刻设备内所有装置的运行，若干所述伺服机械手在所述供料晶片篮、蚀刻装置和收料晶片篮之间传递晶片。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片蚀刻设备，其特征在于：所述供料装置由供料晶片篮(1)、供料伺服升降机构(2)和供料伺服机械手(3)构成，所述供料晶片篮固定于所述供料伺服顶升机构上端，所述供料伺服机械手能够抓取所述供料晶片篮中的晶片并能够将晶片放置于所述蚀刻装置内。

3.根据权利要求2所述的半导体晶片蚀刻设备，其特征在于：所述收料装置由收料晶片篮(4)、收料伺服升降机构(5)和收料伺服机械手(6)构成，所述收料晶片篮固定于所述收料伺服顶升机构上端，所述收料伺服机械手能够抓取所述蚀刻装置中的晶片并能够将晶片置于所述收料晶片篮中。

4.根据权利要求3所述的半导体晶片蚀刻设备，其特征在于：所述蚀刻装置(7)为气体蚀刻装置，还设有吹气系统和抽气系统，所述吹气系统与所述蚀刻装置相连，所述蚀刻装置与所述抽气系统相连，所述控制装置控制所述吹气系统和抽气系统。

5.根据权利要求4所述的半导体晶片蚀刻设备，其特征在于：所述气体蚀刻装置设有基座和气罩，所述气罩位于所述基座上方，所述气罩能够密封罩于所述基座上构成密闭空间，所述基座上设有晶片定位座，所述气罩上开设有进气孔，所述进气孔与所述密闭空间相通，所述吹气系统与所述进气孔连接，所述基座上开设有若干出气孔，所述出气孔与所述密闭空间相通，所述抽气系统与所述出气孔连接。

6.根据权利要求5所述的半导体晶片蚀刻设备，其特征在于：所述晶片定位座的形状与所述晶片的形状相同，所述晶片为具有平口的圆形片状，设有平口检测系统，所述平口检测系统设有影像系统(8)和角度调整伺服系统(9)，所述角度调整伺服系统上端为平口检测台(10)，所述角度调整伺服系统能够带动所述平口检测台在水平面上转动，所述控制装置控制所述平口检测系统，所述供料伺服机械手能够抓取供料晶片篮中的晶片并将晶片置于所述平口检测台。

7.根据权利要求6所述的半导体晶片蚀刻设备，其特征在于：设有线性滑轨(11)，所述供料伺服机械手位于线性滑轨上且能够在线性滑轨上线性移动，所述供料伺服机械手连接有驱动其在线性滑轨上做左右方向直线位移的第一气缸，所述第一气缸连接有第一伺服电机(12)，所述供料伺服机械手连接有驱动其在线性滑轨上做前后方向直线位移的第二气缸，所述第二气缸连接有第二伺服电机(13)，所述控制装置控制所述第一伺服电机(12)和第二伺服电机(13)，所述供料伺服机械手能够抓取所述平口检测台上的晶片并能够将晶片置于所述蚀刻装置内。

8.根据权利要求5所述的半导体晶片蚀刻设备，其特征在于：所述晶片定位座中心开设有真空吸气口，所述真空吸气口连接有吸真空装置，所述控制装置控制所述吸真空装置。

9.根据权利要求5所述的半导体晶片蚀刻设备，其特征在于：所述气体蚀刻装置设有用于提升蚀刻温度的加热装置，所述控制装置控制所述加热装置。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体晶片蚀刻设备，其特征在于：所述控制装置设有可编程控制器和人机界面(14)。