[发明专利]发光二极管封装结构及发光装置

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，包括至少两间隔的电极、与电极电性连接的发光二极管芯片以及填充于两电极之间并覆盖发光二极管芯片的封装体，所述电极包括第一电极和第二电极，其特征在于：所述发光二极管芯片的出光面面对的封装体外表面上形成有反射层，所述发光二极管芯片的出光面背对的封装体的另一外表面为出光面，所述第一电极和第二电极环绕所述发光二极管芯片及封装体设置，且第一和第二电极均包括朝向发光二极管芯片的内壁，各内壁包括位于反射层和出光面之间的第一斜面，该第一斜面自出光面向靠近发光二极管芯片的方向倾斜延伸，发光二极管芯片发出的光线射向反射层并经反射层、第一斜面反射后从出光面射出。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述内壁还包括第二斜面，该第二斜面自反射面向靠近发光二极管芯片的方向倾斜延伸。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一斜面、第二斜面与第一表面之间的夹角角度为50度至80度。

4.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括一平台部，该平台位于第一斜面和第二斜面之间并连接第一、第二斜面，发光二极管芯片打线连接于该平台部。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括一被第一电极和第二电极环绕的承载部，所述发光二极管芯片固定于承载部上。

6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述承载部还包括顶面、底面和连接于顶面和底面之间的侧面，所述顶面的高度小于电极的内壁的高度，该底面与发光二极管封装结构的出光面平齐，所述侧面自顶面向远离发光二极管芯片的方向倾斜延伸。

7.一种发光装置，包括发光二极管封装结构和基板，该发光二极管封装结构包括至少两间隔的电极、与电极电性连接的发光二极管芯片以及填充于电极之间并覆盖发光二极管芯片的封装体，所述电极包括第一电极和第二电极，所述基板的一表面上形成相互间隔的电路结构和位于电路结构之间的反射区，其特征在于：所述发光二极管芯片的出光面面对的封装体的外表面与基板的反射区贴合并形成反射面，所述发光二极管封装结构远离基板的另一外表面为出光面，所述第一电极和第二电极环绕所述发光二极管芯片及封装体设置，且第一和第二电极均包括朝向发光二极管芯片的内壁，各内壁包括位于反射层和出光面之间的第一斜面，该第一斜面自出光面向靠近发光二极管芯片的方向倾斜延伸，发光二极管芯片发出的光线射向反射层并经反射层、第一斜面反射后从出光面射出。

8.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于：所述电路结构包括第一电路区和第二电路区，反射区位于第一电路区和第二电路区之间，第一电路区和第二电路区间隔的距离大于或等于反射面的尺寸。

9.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于：所述基板采用反射性材料制成。

10.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于：所述发光二极管封装结构与基板贴合的封装体的外表面铺设有反射层。