[发明专利]硅纳米线器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110388957.4 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102437189A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 曹永峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 朴海今;向勇 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种硅纳米线器件，包括形成在衬底上的硅纳米线和源/漏区，所述硅纳米线和所述源/漏区相连接，其特征在于，所述硅纳米线的顶面及侧面被金属导电保护层覆盖。
2.根据权利要求1所述的硅纳米线器件，其特征在于，所述硅纳米线器件包括两个源/漏区，分别位于所述硅纳米线的两侧。
3.根据权利要求1或2所述的硅纳米线器件，其特征在于，所述金属导电保护层的材料为TiN或TaN。
4.一种硅纳米线器件的制作方法，包括以下步骤：
在衬底上形成硅纳米线和源/漏区，所述硅纳米线和所述源/漏区相连；
在硅纳米线上形成金属导电保护层，该金属导电保护层覆盖所述硅纳米线的顶面及侧面；
在源/漏区上依次形成金属焊垫及连通至金属焊垫的接触孔；
去除金属导电保护层上的物质，暴露金属导电保护层，上述物质是在形成金属焊垫及接触孔的步骤中形成于金属导电保护层上的。
5.根据权利要求4所述的硅纳米线器件的制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成硅纳米线和源/漏区的步骤包括：
采用热氧化方法，在衬底上形成二氧化硅层；
在二氧化硅层上沉积多晶硅层并进行轻掺杂；
对所述多晶硅层采用光刻、刻蚀，形成硅纳米线和源/漏区；
采用热氧化方法，在硅纳米线和源/漏区表面上形成氧化膜。
6.根据权利要求5所述的硅纳米线器件的制作方法，其特征在于，在采用光刻、刻蚀，形成硅纳米线和源/漏区的步骤后，还包括：采用光刻、离子注入工艺对源/漏区进行重掺杂。
7.根据权利要求4所述的硅纳米线器件的制作方法，其特征在于，在所述在硅纳米线上形成金属导电保护层的步骤中，采用物理气相沉积工艺，沉积一层金属层来覆盖硅纳米线和源/漏区，并采用光刻、刻蚀金属层以形成上述金属导电保护层。
8.根据权利要求4所述的硅纳米线器件的制作方法，其特征在于，所述在源/漏区上依次形成金属焊垫及接触孔的步骤包括：沉积第一氧化层，采用光刻、刻蚀形成通孔，在通孔内填充金属形成金属层，采用光刻、刻蚀形成金属焊垫，在金属焊垫上沉积第二氧化层及氮化硅钝化层，采用光刻、刻蚀形成接触孔。
9.根据权利要求8所述的硅纳米线器件的制作方法，其特征在于，在所述暴露金属导电保护层的步骤中，去除所述金属导电保护层上方的氮化硅钝化层、第二氧化层和第一氧化层。
10.根据权利要求4～9中任一项所述的硅纳米线器件的制作方法，其特征在于，所述金属导电保护层的材料为TiN或TaN。
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