[发明专利]独立、有序的氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201110388594.4 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102433579A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 罗建强;孙静;高濂;刘阳桥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 独立 有序 氧化 纳米 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种独立、有序的氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
对钛基进行阳极氧化处理以在所述钛基上形成氧化钛纳米管阵列薄膜；
对所得氧化钛纳米管阵列薄膜进行水浸泡处理；以及
缓慢干燥处理挥发水分以使所述氧化钛纳米管阵列薄膜脱离所述钛基形成所述独立、有序的氧化钛纳米管阵列薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述水浸泡处理的时间为6～80小时。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述水浸泡处理的时间为12～48小时。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述水为蒸馏水。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括在所述水浸泡处理之前对所得氧化钛纳米管阵列薄膜进行超声处理0～5分钟。
6.根据权利要求1、2、3或5所述的制备方法，其特征在于，在所述缓慢干燥处理中，对所述钛基施加作用力。
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