[发明专利]用于去除放射性物质污染的LNS陶瓷和抗氧化水

权利要求书

1.一种LNS陶瓷，其特征在于，

由选自沸石、等离子纳米陶瓷中的一者以上与金、银混合，加热至60,000至70,000℃生成的等离子体气体，在真空条件下快速冷却至-200至-273℃制造而成，陶瓷通过将镁加热至60,000至70,000℃生成的等离子体气体，在真空条件下快速冷却至-200至-273℃制造而成。

2.一种抗氧化水，其特征在于，通过多重分离过滤器制造而成，

所述的多重分离过滤器，由精密滤膜、活性炭基材过滤器及陶瓷过滤器依次层叠形成，所述的活性炭基材过滤器在活性炭50重量％中混合选自金及银中的一者以上50重量％，加热至60,000至70,000℃生成的等离子体气体，在真空条件下快速冷却至-200至-273℃制造而成，所述的陶瓷过滤器通过将镁加热至60,000至70,000℃生成的等离子体气体，在真空条件下快速冷却至-200至-273℃制造而成。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的LNS陶瓷，其特征在于，

优选地，将耐辐射球菌(Deinococcus radiodurans)微生物培养液100g、上述抗氧化水1000g和LNS陶瓷粉末500g，以1mm厚度涂布在固体高级别放射性废弃物上。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的LNS陶瓷，其特征在于，

优选地，将耐辐射球菌(Deinococcus radiodurans)微生物培养液10g、上述抗氧化水100g和LNS陶瓷粉末50g注入到液体高级别放射性稀释废弃物1500g中稀释。

5.根据权利要求2所述的抗氧化水，其特征在于，

所述的抗氧化水具有-94至-729mV的氧化还原电位和-172mV至-1160mV范围的氧化还原电位，-460mV至-1960mV更佳。