[发明专利]RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法

权利要求书

1.一种RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第1步，在P型硅衬底(1)上生长P型外延(2)；

第2步，在P型外延(2)上生长一层氧化硅热氧层(3)，在氧化硅热氧层(3)上淀积一氮化硅层(4)，在氮化硅层(4)上再淀积一氧化硅层(5)，所述氧化硅热氧层(3)、氮化硅层(4)和氧化硅层(5)的厚度依次增加，形成ONO叠层；对ONO叠层进行光刻和干刻，打开场氧形成处的ONO叠层；

第3步，进行光刻和干刻，间隔地打开ONO叠层，并在打开区域刻蚀深沟槽(7)，干刻去除ONO叠层中顶部的氧化硅层(5)；所述相邻深沟槽(7)之间为侧壁(8)，所述侧壁(8)的宽度为常规场氧厚度的0.5～0.7，深沟槽(7)的宽度等于侧壁(8)的宽度加0.5～2.0μm；

第4步，对整个硅片进行场氧化形成常规场氧(9)，并完全消耗侧壁(8)，深沟槽(7)的宽度在0.5μm以上；

第5步，淀积非掺杂的多晶硅(10)，回刻去除氮化硅层(5)上方及氮化硅层(5)之间的多晶硅，并使深沟槽(7)中多晶硅的高度低于非场氧区硅基板的高度，多晶硅(10)与非场氧区硅基板之间的高度差为800～2000埃；

第6步，进行二次热氧化，在多晶硅(10)上方形成多晶硅再氧化层(11)，所述多晶硅再氧化层(11)与常规场氧(9)齐平；

第7步，去除氮化硅层(4)和氧化硅热氧层(3)。

2.根据权利要求1所述的RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，第1步中，所述P型硅衬底(1)为重掺杂，掺杂浓度在10²⁰cm^-3以上。

3.根据权利要求1所述的RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，第1步中，所述P型外延(2)为低掺杂，掺杂浓度为10¹⁴～1O¹⁶cm^-3。

4.根据权利要求1所述的RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，第1步中，所述P型外延(2)的厚度与器件的击穿电压之间的关系为，P型外延(2)厚度每增加1μm，击穿电压提高10～12伏。

5.根据权利要求1所述的RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，第2步中，所述氧化硅热氧层(3)的厚度为200～500埃，氮化硅层(4)的厚度为1200～2500埃，氧化硅层(5)的厚度为3000～8000埃。

6.根据权利要求1所述的RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，第2步中，干刻ONO叠层形成场氧的硅凹进(6)，凹进深度是常规场氧厚度的0.3～0.4倍。

7.根据权利要求1所述的RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，第3步中，刻蚀的深沟槽(7)底部位于P型外延(2)中。

8.根据权利要求1所述的RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，第3步中，深沟槽(7)底部刻蚀至P型硅衬底(1)上。

9.根据权利要求1所述的RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，第5步中淀积的多晶硅(10)厚度是第4步中深沟槽(7)宽度的1.2倍以上。

10.根据权利要求1所述的RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，第6步中，所述多晶硅再氧化层(11)的厚度为2000～5000埃。