[发明专利]半导体器件的含导电颗粒的绝缘体与半导体构成的耐压层

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括一个第一主表面和一个与所述第一主表面相对的第二主表面，在所述第一主表面和所述第二主表面内至少含有一个元胞，所述元胞在紧贴所述第一主表面内有一个器件的第一特征区，在紧贴所述第二主表面内有一个器件的第二特征区，在器件的所述第一特征区和所述第二特征区之间存在一个耐压区，其特征在于：所述耐压区包括至少一个半导体区和一个含导电颗粒的绝缘体区，所述半导体区和所述含导电颗粒的绝缘体区之间有相互直接连接的面；

所述半导体器件至少有两个电极；一个电极紧贴于所述第一主表面的部分区域或全部区域；另一个电极紧贴于所述第二主表面的部分区域或全部区域；两个电极在所述第一主表面和所述第二主表面所夹的空间的外部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述耐压区中的含导电颗粒的绝缘体区中的导电颗粒是均匀分布的，或是不均匀分布的，含导电颗粒的绝缘体区中的绝缘体是一种单一化学成分的材料，或不是一种单一化学成分的材料。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述的半导体器件由多个元胞的密堆积形成的；在器件的所述第一特征区和所述第二特征区之间的一个剖面上，耐压区的构造是叉指条形结构，或六角形结构，或长方形结构，或方块形结构，或镶嵌方块形结构；

在离开所述第一主表面的不同距离的剖面上，含导电颗粒的绝缘体区的面积与半导体区的面积的比例是不变的或是变化的。

4.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述耐压区中的半导体区包括第一种导电类型的半导体区与/或第二种导电类型的半导体区。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述器件的第二特征区为一个第一种导电类型的半导体区；

所述器件的第一特征区包含一个与耐压区中的半导体区直接连接的第二种导电类型的半导体区；

所述第一特征区还包含一个与耐压区中含导电颗粒的绝缘体区相连接的第二种导电类型的半导体区或一个导体区。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述器件的第二特征区有一个第二种导电类型的半导体区紧贴在所述第二主表面，还有一个与第二种导电类型的半导体区相连接的第一种导电类型的半导体区，所述第一种导电类型的半导体区又与耐压区相连接；

所述器件的第一特征区包含一个与耐压区中第一种导电类型的半导体区直接连接的第二种导电类型的半导体区；

所述器件的第一特征区还包含一个与耐压区中含导电颗粒的绝缘体区相连接的第二种导电类型的半导体区或一个导体区。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是金-半接触的肖特基二极管，所述器件的第二特征区是一个第一种导电类型的半导体区；

所述器件的第一特征区为金属，所述金属与耐压区中的第一种导电类型的半导体材料直接连接；

所述器件的第一特征区及所述器件的第二特征区各有导体连出分别作为肖特基二极管的两个电极；

所述器件的第一特征区还包含一个与耐压区中含导电颗粒的绝缘体区相连接的第二种导电类型的半导体区或一个导体区。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是一个JBS整流器或一个MPS整流器，所述器件的第二特征区是一个第一种导电类型的半导体区；

所述器件的第一特征区含有一个金属区，所述金属区与耐压区中的第一种导电类型的半导体区有直接连接；

所述器件的第一特征区还含有第二种导电类型的半导体区，它与耐压区中的第一种导电类型的半导体区有直接连接还与所述金属区直接连接；

所述器件的第一特征区及所述器件的第二特征区各有导体连出分别作为JBS整流器或一个MPS整流器的两个电极。