[发明专利]CMOS低噪声放大电路

权利要求书

1.一种CMOS低噪声放大电路，包括差分放大结构输入匹配结构和输出匹配结构，所述输入匹配结构和输出匹配结构分别连接差分放大结构的输入端和输出端，其特征在于，还包括负电容补偿结构，所述负电容补偿结构与所述差分放大结构连接。

2.根据权利要求1所述的CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述差分放大结构包括第一共源共栅放大结构和第二共源共栅放大结构，所述第一共源共栅放大结构包括MOS管M₁和MOS管M₂，所述第二共源共栅放大结构包括MOS管M₅和MOS管M₆，MOS管M₁和MOS管M₅具有相同的沟道长度和宽度，MOS管M₂和MOS管M₆具有相同的沟道长度和宽度，所述MOS管M₁的漏极和MOS管M₂的源极连接，所述MOS管M₅和漏极和MOS管M₆的源极连接，所述MOS管M₂和MOS管M₆的栅极都连接V_DD，所述MOS管M₁和MOS管M₅得栅极为所述差分放大结构的输入端，所述MOS管M₂和MOS管M₆的漏极为所述差分放大结构的输出端，所述MOS管M₁和MOS管M₅的源极都接地。

3.根据权利要求2所述的CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述负电容补偿结构包括MOS管M₃、MOS管M₄、电容C₅、第一电流源和第二电流源，MOS管M₃和MOS管M₄具有相同的沟道长度和宽度，所述MOS管M₃的栅极连接所述MOS管M₄的漏极并与MOS管M₅的漏极连接，所述MOS管M₃的漏极连接所述MOS管M₄的源极并与MOS管M₁的漏极连接，所述电容C₅跨接在所述MOS管M₃和所述MOS管M₄的源极之间，所述MOS管M₃的源极通过第一电流源接地，所述MOS管M₄的源极通过第二电流源接地。

4.根据权利要求2或3所述的CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述输入匹配结构包括电容C₃、电容C₄、电感L₃和电感L₄，所述电容C₃和电感L₃串联后串接在MOS管M₁的栅极上，所述电容C₄和电感L₅串联后串接在MOS管M₅的栅极上。

5.根据权利要求2或3所述的CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述输出匹配结构包括电感L₁、电感L₂、电阻R₁、电阻R₂、电容C₁₁、电容C₁₂、电容C₂₁、电容C₂₂；所述电阻R₁和电感L₁并联以后串接在MOS管M₂的漏极和V_DD之间；所述电阻R₂和电感L₂并联以后串接在MOS管M₆的漏极和V_DD之间；所述电容C₁₁一端连接MOS管M₂的漏极，另一端接地；所述电容C₁₂一端连接MOS管M₆的漏极，另一端接地；所述电容C₂₁串接在MOS管M₂的漏极和输出端之间，所述电容C₂₂串接在MOS管M₆的漏极和输出端之间。

6.根据权利要求2所述的CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述MOS管M₁的源极通过电感L₅接地，所述MOS管M₅的源极通过电感L₆接地。