[发明专利]封装基板结构及其制法无效
申请号: | 201110384315.7 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN103094243A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 庄建隆;吴柏毅;李孟宗;姜亦震 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 板结 及其 制法 | ||
1.一种封装基板结构,其包括:
基板,其一表面具有至少一电性接触垫;
介电层,其形成于该基板的表面上,该介电层具有至少一第一开口与第二开口,其中,该第一开口对应外露该电性接触垫,该第二开口对应设置于该第一开口的周缘;以及
金属层,其对应形成于该电性接触垫及该介电层上,且延伸至该第二开口的侧壁上。
2.根据权利要求1所述的封装基板结构,其特征在于,该封装基板结构还包括焊料凸块,其形成于该金属层上。
3.根据权利要求1所述的封装基板结构,其特征在于,该第二开口环设于该第一开口的周缘。
4.根据权利要求1所述的封装基板结构,其特征在于,该金属层连续包覆该电性接触垫、该第一开口的侧壁、该第一开口与第二开口间的部份介电层及该第二开口的侧壁。
5.根据权利要求1所述的封装基板结构,其特征在于,该第一开口为圆形,该第二开口为环形,且该第一开口与该第二开口为共圆心。
6.根据权利要求1所述的封装基板结构,其特征在于,该介电层包括第一子介电层与第二子介电层,该第一子介电层形成于该基板的表面上,该第二子介电层形成于该第一子介电层上,且具有该第一开口与第二开口,该第二开口暴露出部份的该第一子介电层。
7.根据权利要求1所述的封装基板结构,其特征在于,该第二开口的底端宽度至少为10微米。
8.根据权利要求1所述的封装基板结构,其特征在于,该第二开口的顶端宽度至少为20微米。
9.根据权利要求1所述的封装基板结构,其特征在于,该第二开口为顶宽底窄。
10.一种封装基板结构的制法,其包括:
提供一表面具有至少一电性接触垫的基板,该表面上形成有介电层,且该介电层具有至少一对应外露该电性接触垫的第一开口;
于该介电层上形成至少一第二开口,其中,第二开口对应设置于该第一开口的周缘;
于该介电层、电性接触垫上形成金属层,且该金属层延伸至该第二开口的侧壁上;以及
形成焊料凸块于该金属层上。
11.根据权利要求10所述的封装基板结构的制法,其特征在于,形成该金属层与焊料凸块的步骤包括:
于该金属层上形成具有多个阻层开孔的阻层,各该阻层开孔对应各该电性接触垫,且各该阻层开孔的孔壁对应位于各该第二开口的内侧壁上;
于各该阻层开孔中的金属层上形成焊料凸块;
移除该阻层;以及
蚀刻移除未被该焊料凸块所覆盖的金属层。
12.根据权利要求11所述的封装基板结构的制法,其特征在于,该制法还包括于移除该阻层后,进行回焊步骤。
13.根据权利要求10所述的封装基板结构的制法,其特征在于,该介电层包括第一子介电层与第二子介电层,该第一子介电层形成于该基板的表面上,该第二子介电层形成于该第一子介电层上,且具有该第一开口与第二开口,该第二开口暴露出部份的该第一子介电层。
14.根据权利要求10所述的封装基板结构的制法,其特征在于,该第二开口的底端宽度至少为10微米。
15.根据权利要求10所述的封装基板结构的制法,其特征在于,该第二开口的顶端宽度至少为20微米。
16.根据权利要求10所述的封装基板结构的制法,其特征在于,该第二开口为顶宽底窄。
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