[发明专利]一种绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110384239.X | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103137547A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 俞文杰;张波;赵清太;狄增峰;张苗;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8248 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 si nisi sub 衬底 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种绝缘体上Si/NiSi2衬底材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：
1)提供第一Si衬底，在所述第一Si衬底表面形成Ni层，然后进行第一次退火以使所述第一Si衬底与所述Ni层反应生成NiSi2层，接着去除未反应的所述Ni层；
2)在所述NiSi2层表面形成第一SiO2层，然后进行H离子注入以在所述第一Si衬底形成剥离界面；
3)提供具有第二SiO2层的第二Si衬底，并键合所述第二SiO2层与所述第一SiO2层，然后进行第二次退火以使所述第一Si衬底从所述剥离界面剥离，最后对剥离表面抛光以完成制备。
2.根据权利要求1所述的绝缘体上Si/NiSi2衬底材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1)还包括对所述第一Si衬底进行标准的湿式化学清洗法清洗的步骤。
3.根据权利要求1所述的绝缘体上Si/NiSi2衬底材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中，在真空环境中淀积所述Ni层，淀积的Ni层厚度为1～4nm。
4.根据权利要求1所述的绝缘体上Si/NiSi2衬底材料的制备方法，其特征在于：所述第一次退火气氛为N2气氛，退火温度为300～1000℃，退火时间为10～60秒。
5.根据权利要求1所述的绝缘体上Si/NiSi2衬底材料的制备方法，其特征在于：选用摩尔比为4∶1的H2SO4∶H2O2溶液采用湿法刻蚀去除所述未反应的Ni层，刻蚀时间为1分钟。
6.根据权利要求1所述的绝缘体上Si/NiSi2衬底材料的制备方法，其特征在于：采用等离子体沉积技术在表面淀积所述第一SiO2层，厚度为100～600nm。
7.根据权利要求1所述的绝缘体上Si/NiSi2衬底材料的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中形成所述第一SiO2层后还包括对其在900℃下退火1小时的步骤。
8.根据权利要求1所述的绝缘体上Si/NiSi2衬底材料的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中H离子注入后还包括对所述第一SiO2层进行抛光的步骤。
9.根据权利要求1所述的绝缘体上Si/NiSi2衬底材料的制备方法，其特征在于：采用热氧化方法在所述第二Si衬底表面形成所述第二SiO2层，厚度为200～300nm。
10.根据权利要求1所述的绝缘体上Si/NiSi2衬底材料的制备方法，其特征在于：所述第二次退火气氛为N2气氛，退火温度为200～800℃，退火时间为30分钟。
11.根据权利要求1所述的绝缘体上Si/NiSi2衬底材料的制备方法，其特征在于：所述步骤3)还包括第三次退火以加强所述第二SiO2层与所述第一SiO2层的键合的步骤。
12.根据权利要求11所述的绝缘体上Si/NiSi2衬底材料的制备方法，其特征在于：所述第三次退火气氛为N2气氛，退火温度为500～1000℃，退火时间为30～240分钟。
13.一种绝缘体上Si/NiSi2衬底材料，其特征在于，至少包括：Si衬底；结合与所述Si衬底表面的绝缘层；结合于所述绝缘层表面的NiSi2层；以及结合于所述NiSi2层表面的Si顶层。
14.根据权利要求13所述的绝缘体上Si/NiSi2衬底材料，其特征在于：所述NiSi2层的厚度为3～10nm。
15.根据权利要求13所述的绝缘体上Si/NiSi2衬底材料，其特征在于：所述Si顶层的厚度为5～200nm。
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