[发明专利]肥荚红豆种子无菌诱导植株再生的方法及其专用培养基无效

专利信息
申请号: 201110383577.1 申请日: 2011-11-28
公开(公告)号: CN102511390A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 彭绿春;瞿素萍;王继华;王丽花;苏艳;张艺萍;杨秀梅;张丽芳;宋杰 申请(专利权)人: 云南云科花卉有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所 53113 代理人: 康珉
地址: 650205 云南省昆明市北*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 红豆 种子 无菌 诱导 植株 再生 方法 及其 专用 培养基
【权利要求书】:

1.肥荚红豆种子无菌诱导植株再生的专用培养基,其特征在于,所述的专用培养基是由以下配方的种子萌发培养基,增殖培养基和生根培养基组成:

(1)种子萌发培养基的配方是:Read基本培养基+6-BA0.2~1mg/L+NAA0.02~0.1 mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5 g/L,  Ph=5.8;

(2)增殖培养基的配方是:Read基本培养基+6-BA0.5~1.5mg/L+KT0.05~0.1 mg/L+ NAA0.05~0.1mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5 g/L,  Ph=5.8; 

(3)生根培养基的配方是:Read基本培养基+ IAA0.5~1.5 mg/L+ 蔗糖30g/L+琼脂6.5 g/L,  Ph=5.8。

2.根据权利要求1所述的肥荚红豆种子无菌诱导植株再生的专用培养基,其特征在于:

(1)种子萌发培养基的配方是:Read基本培养基 + 6-BA 0.5 mg/L + NAA 0.05 mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L,  Ph=5.8;

(2)增殖培养基的配方是:Read 基本培养基+ 6-BA 1 mg/L + KT 0.1 mg/L + NAA 0.1 mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L,  Ph=5.8;

(3)生根培养基的配方是:Read基本培养基+ IAA 1.0 mg/L+ +蔗糖30g/L+琼脂6.5g/L,  Ph=5.8。

3.肥荚红豆种子无菌诱导植株再生的方法,其特征在于,按以下步骤进行:

(1)种子消毒与处理

将肥荚红豆种子用0.12%氯化汞溶液浸泡12~18min,再用2%次氯酸钠溶液浸泡8~12min后,用清水漂洗,之后放入3MNaOH溶液浸泡40~80min,再用清水漂洗后取出,剥去种皮;

(2)种子萌发

将经步骤(1)消毒与处理的种子接种于种子萌发培养基,培养24~30天;所述的种子萌发培养基的配方是权利要求1所述的(1)种子萌发培养基的配方;

(3)不定芽增殖

将步骤(2)种子萌发诱导出来的芽从豆瓣上分离,整棵或切成带节的茎段转移到增殖培养基上,培养40天;所述的增殖培养基的配方是权利要求1所述的(2)增殖培养基的配方;

(4)生根

将步骤(3)培育的增殖苗分棵切开,接种于生根培养基,培养24~31天;所述的生根培养基的配方是权利要求1所述的(3)生根培养基的配方;

(5)炼苗与移栽

待步骤(4)的小苗长出4~6条主根时,将培养瓶移至室外大棚内,于透光率为70%的遮阳网下炼苗,3~7天取出小苗,洗去根部培养基,移栽到穴盘中,穴盘中基质为按腐叶土:红土:珍珠岩=2~3.5:1~2:0.5~1的体积比比例混合而成的混合物,穴盘放置于育苗小棚内,棚顶覆盖一层透光率60%的遮阳网,第8天揭去遮阳网,保持基质的土壤质量含水量为40-50%;

上述步骤(2)~步骤(4)的培养条件:培养温度22~25℃,光照时间12 h/d,光照强度1500~2000lx。

4.根据权利要求3所述的肥荚红豆种子无菌诱导植株再生的方法,其特征在于,按以下步骤进行:

(1)种子消毒与处理

将肥荚红豆种子用0.12%氯化汞溶液浸泡15min,再用2%次氯酸钠溶液浸泡10min后,用清水漂洗,之后放入3MNaOH溶液浸泡60min,再用清水漂洗后取出,剥去种皮;

(2)种子萌发

将经步骤(1)消毒与处理的种子接种于种子萌发培养基,培养24天;所述的种子萌发培养基的配方是权利要求2所述的(1)种子萌发培养基的配方;

(3)不定芽增殖

将步骤(2)种子萌发诱导出来的芽从豆瓣上分离,整棵或切成带节的茎段转移到增殖培养基上,培养40天;所述的增殖培养基的配方是权利要求2所述的(2)增殖培养基的配方;

(4)生根

将步骤(3)培育的增殖苗分棵切开,茎基部切平,接种于生根培养基,培养24天;所述的生根培养基的配方是权利要求2所述的(3)生根培养基的配方;

(5)炼苗与移栽

待步骤(4)的小苗长出4~6条主根时,将培养瓶移至室外大棚内,于透光率为70%的遮阳网下炼苗,于7天取出小苗,洗去根部培养基,移栽到穴盘中,穴盘中基质为按腐叶土:红土:珍珠岩=3.5:1:0.5的体积比比例混合而成的混合物,穴盘放置于育苗小棚内,棚顶覆盖一层透光率为60%的遮阳网,第8天揭去遮阳网,保持基质的土壤质量含水量为40~50%;

步骤(2)~步骤(4)的培养条件:培养温度是22-25℃,光照时间是12 h/d,光照强度是1500-2000lx。

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