[发明专利]兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110382883.3 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103137672A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 刘剑;熊涛;孙尧;罗啸;陈瑜;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 兼容 对准 表面 沟道 半场 效应 栅极 膜结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构，其特征在于，在硅衬底上依次包括以下的薄膜结构：
栅极氧化膜、栅极多晶硅、金属钛以及氮化钛或者氮化钨、金属硅化物、自对准通孔用氮化硅；
上述一系列膜整体构成MOSFET栅极膜层，亦即栅极层最终的图形纵向结构。
2.如权利要求1所述的兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构，其特征在于，所述金属硅化物是硅化钨。
3.如权利要求1所述的兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构的制造方法，其特征在于，栅极多晶硅层采用低压化学气相沉积，在NMOS区域P为N型饱和掺杂，在PMOS区域为P型饱和掺杂，这样两种MOS都可形成表面沟道。
4.如权利要求3所述的兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构的制造方法，其特征在于，金属钛以及氮化钛或者氮化钨采用物理气相沉积。
5.如权利要求4所述的兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构的制造方法，其特征在于，金属硅化物层既可采用物理气相沉积，又能采用化学气相沉积。
6.如权利要求5所述的兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构的制造方法，其特征在于，金属硅化物层厚度为500～1000埃。
7.如权利要求5所述的兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构的制造方法，其特征在于，顶层氮化硅采用化学气相沉积，，和之后形成的氮化硅侧墙共同形成自对准通孔。
8.如权利要求7所述的兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构的制造方法，其特征在于，所述顶层氮化硅厚度为1000～2000埃。
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