[发明专利]内置负反馈金属-半导体-金属结构紫外光单光子探测器

权利要求书

1.一种内置负反馈金属-半导体-金属紫外光单光子探测器，其特征是每个探测器从下至上包括衬底，衬底上可以生长缓冲层，衬底或缓冲层上是n型半导体，n型半导体上面是叉指状薄膜电阻，阳极电极淀积在薄膜电阻上形成阳极电极，最上层是叉指状电极，阴极电极与n型半导体形成肖特基结，阳极电极淀积在薄膜电阻上。

2.如权利要求1所述的内置负反馈金属-半导体-金属紫外光单光子探测器，其特征是刻蚀薄膜电阻(203)成叉指状结构，其每个叉指宽度为10μm，间距为30μm；阴极电极处于叉指状薄膜电阻203中间，阴极电极宽度为10μm，阴极电极与n型半导体形成肖特基接触，使阳极电极205生长在薄膜电阻之上，电极宽度为10μm。

3.如权利要求1或2所述的内置负反馈金属-半导体-金属紫外光单光子探测器的衬底选用SiC，GaN，蓝宝石或者硅等材料。

4.如权利要求1或2所述的内置负反馈金属-半导体-金属紫外光单光子探测器的n型半导体可以是SiC，GaN，AlGaN基等材料。

5.如权利要求1或2所述的内置负反馈金属-半导体-金属紫外光单光子探测器工作在负偏压下，超过探测器的击穿电压，电压大小为10V-20V。

6.如权利要求1至4之一所述的内置负反馈金属-半导体-金属紫外光单光子探测器机构适用于可见光、红外光等波段的探测，其n型半导体可以是InGaAs等其他III-V族或II-VI族材料。

7.根据权利要求1所述的内置负反馈金属-半导体-金属紫外光单光子探测器的制备步骤是：

(1)在衬底上淀积缓冲层，降低晶格失配，减小缺陷密度；

(2)在衬底上淀积n型半导体；

(3)在n型半导体上淀积薄膜电阻并刻蚀成叉指状；

(4)淀积叉指状电极，阴极电极与n型半导体形成肖特基结，阳极电极电极在薄膜电阻上。

8.根据权利要求1所述的内置负反馈金属-半导体-金属紫外光单光子探测器的制备步骤是：在n型半导体202上淀积薄膜电阻203，是SiC，Si_xO_y或未掺杂的GaN，AlGaN材料，其电阻值约为几十KΩ到1MΩ。