[发明专利]平行光器件的封装结构及封装方法无效

专利信息
申请号: 201110382675.3 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102496614A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 马强;潘儒胜 申请(专利权)人: 深圳市易飞扬通信技术有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31;H05K1/18
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 何平
地址: 518067 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 平行 器件 封装 结构 方法
【说明书】:

【技术领域】

发明涉及一种光通信技术,特别是涉及一种平行光器件的封装结构及封装方法。

【背景技术】

在传统的光通信技术领域中,平行光信号的接收受和发送是通过不同的光器件来实现的,没有集成的芯片。因此在应用于光模块产品或是光通信信道时,需要采用两个独立的接收器件和发送器件来实现光信号的收发。然而,两个器件的相对位置及角度每次都需要调整才能达到预期的效果,这不仅影响了光模块产品更深层次的发展,也降低光通信信道架设的效率。

【发明内容】

鉴于上述状况,有必要提供一种可同时实现光信号收发的平行光器件的封装结构及封装方法。

一种平行光器件的封装结构,包括:

PCB板;

驱动芯片及放大芯片,其引脚焊接于所述PCB板上;

光电二极管阵列芯片,其引脚焊接于所述PCB板上并与所述放大芯片电连接;及

激光二极管阵列芯片,引脚焊接于所述PCB板上并与所述驱动芯片电连接,且其光敏面及边缘与所述光电二极管阵列芯片的光敏面及边缘均处于同一平面。

进一步地,所述光电二极管阵列芯片与所述激光二极管阵列芯片之间的间距为所述光电二极管阵列芯及所述激光二极管阵列芯片中单个二极管之间的间距的整数倍。

进一步地,所述光电二极管阵列芯片与所述激光二极管阵列芯片之间的间距为1.25毫米。

本发明还提供一种平行光器件的封装方法。

一种平行光器件的封装方法,包括以下步骤:

排列贴片:将光电二极管阵列芯片、激光二极管阵列芯片、放大芯片及驱动芯片贴于PCB板上,使所述光电二极管阵列芯片的光敏面及边缘分别与所述激光二极管阵列芯片的光敏面及边缘处于同一平面;

绑定焊接:将所述光电二极管阵列芯片、所述激光二极管阵列芯片、所述放大芯片及所述驱动芯片的引脚焊接于所述PCB板上;

耦合调整:调整所述光电二极管阵列芯片及所述激光二极管阵列芯片的光路,使所述光电二极管阵列芯片可接收来自光纤的光信号,所述激光二极管阵列芯片可将光信号发送到光纤中;

封装:将所述光电二极管阵列芯片、激光二极管阵列芯片、放大芯片、驱动芯片及PCB板一起封装起来。

进一步地,在进行所述封装的步骤之前,还包括设置所述光电二极管阵列芯片的效率阈值的步骤,使所述光电二极管阵列芯片的光电转换效率高于所述效率阈值。

进一步地,在进行所述封装的步骤之前,还包括设置所述激光二极管阵列芯片的功率阈值的步骤,使所述激光二极管阵列芯片的光输出功率高于所述功率阈值。

进一步地,在进行所述排列贴片的步骤时,所述光电二极管阵列芯片与所述激光二极管阵列芯片之间的间距为所述光电二极管阵列芯及所述激光二极管阵列芯片中单个二极管之间的间距的整数倍。

进一步地,在进行所述排列贴片的步骤时,所述光电二极管阵列芯片与所述激光二极管阵列芯片之间的间距为1.25毫米。

进一步地,在绑定焊接的步骤中,采用热、压力和超声功率键合的方法将所述光电二极管阵列芯片、所述激光二极管阵列芯片、所述放大芯片及所述驱动芯片的引脚焊接于所述PCB板上。

进一步地,在耦合调整的步骤中,采用六位调整及45度全反射的方法调整所述光电二极管阵列芯片及所述激光二极管阵列芯片的光路。

上述平行光器件的封装方法将光电二极管阵列芯片及激光二极管阵列芯片以一定的排布方式焊接于PCB板上,并通过耦合调整形成平行光器件的封装结构。所述平行光器件封装结构可通过所述光电二极管阵列芯片接受来自光纤的光信号并进行光电转换,还可通过所述激光二极管阵列芯片向光纤发送光信号,因此实现了同时对光信号进行收发。

【附图说明】

图1为一实施例中平行光器件的封装结构的示意图;

图2为实施例一的平行光器件的封装方法的流程图;

图3为实施例二的平行光器件的封装方法的流程图。

【具体实施方式】

下面主要结合附图说明本发明的具体实施方式。

请参与图1,本发明较佳实施例的平行光器件的封装结构100包括驱动芯片110、放大芯片120、光电二极管阵列芯片130、激光二极管阵列芯片140及PCB板150。

驱动芯片110及放大芯片120的引脚均焊接于PCB板150上。驱动芯片110驱动其他元件工作。放大芯片120起放大信号的作用。

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