[发明专利]用于为焊料凸块形成柱状晶粒结构的热梯度回流有效
| 申请号： | 201110381718.6 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102623361A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张志鸿;郭彦良;董志航;蔡宗甫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 焊料 形成 柱状 晶粒 结构 梯度 回流 | ||
1.一种方法，包括：
将包含第一工件和第二工件的封装结构加热，以熔化所述第一工件和所述第二工件之间的多个焊料凸块；以及
在加热步骤之后，将所述多个焊料凸块凝固，其中，所述方法进一步包括：
在凝固步骤期间，将所述封装结构的第一侧保持在第一温度，所述第一温度高于所述多个焊料凸块的熔化温度，其中，利用加热源实施保持步骤；以及
在凝固步骤期间，利用冷却源将所述封装结构的第二侧保持在第二温度，所述第二温度低于所述熔化温度，其中，所述第二侧与所述第一侧相对。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述多个焊料凸块凝固的步骤期间，在所述多个焊料凸块中的每一个中都建立温度梯度，并且，其中，所述温度梯度的方向基本上垂直于所述第一工件和所述第二工件的主表面。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一温度高于大约200℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二温度低于大约0℃。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二温度低于大约-20℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述加热源配置为吹热空气，所述冷却源配置为吹冷空气。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述加热源配置为吹热空气，所述冷却源包含在传送带中，所述传送带配置为传送所述封装结构。
8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：利用隔热板在所述封装结构的顶侧和底侧之间形成隔离，其中，所述加热源配置为从所述顶侧和所述底侧中的一个中吹热空气，以及其中，所述冷却源配置为从所述顶侧和所述底侧中的另一个中吹冷空气。
9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在凝固步骤期间，将磁场施加到所述多个焊料凸块。
10.一种方法，包括：
将第一工件堆叠在第二工件的正上方，其中，焊料凸块置于所述第一工件和所述第二工件之间；
将所述第一工件和所述第二工件加热，以熔化所述焊料凸块；
在加热步骤之后以及所述焊料凸块凝固之前，在传送带上传送所述第一工件和所述第二工件，其中，所述传送带处在第一温度，所述第一温度不高于室温；以及
在加热步骤之后以及所述焊料凸块凝固之前，将热空气从所述第一工件和所述第二工件的顶侧吹到所述第一工件和所述第二工件上，其中，所述热空气处在第二温度，所述第二温度高于所述焊料凸块的熔化温度。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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