[发明专利]一种晶体材料检查装置及方法

权利要求书

1.一种晶体材料检查装置，其特征在于，所述装置包括：

光源模块，用来发射入射光并使用所述入射光对被测晶体材料进行照射；

光电探测模块，与所述光源模块封装在一起，用来对被测晶体材料内杂质的后向散射光与入射光相干涉后得到的信号进行探测，并将所述信号转化为电信号；

信号提取模块，用来对所述电信号进行提取并转化为数字信号；

信号处理模块，用来对所述数字信号进行处理，得到所述被测晶体材料内杂质的微纳米颗粒粒径和/或其分布信息。

2.如权利要求1所述的晶体材料检查装置，其特征在于，所述光源模块包括激光器、激光器驱动电路、空间滤波器、准直透镜、会聚透镜，其中，

所述激光器由激光器驱动电路驱动发出入射光，所述入射光通过空间滤波器和准直透镜后形成一束平行光，所述会聚透镜对所述平行光进行会聚使其照射在被测晶体材料上。

3.如权利要求1或2所述的晶体材料检查装置，其特征在于，所述光电探测模块包括光电探测器，用来对被测晶体材料内杂质的后向散射光与入射光相干涉后得到的信号进行探测，并将所述信号转化为电流信号。

4.如权利要求3所述的晶体材料检查装置，其特征在于，所述光电探测模块还包括跨阻放大器，与所述光电探测器连接，用来对所述电流信号进行放大并转化为电压信号。

5.如权利要求4所述的晶体材料检查装置，其特征在于，所述光电探测器为光电二极管或微型光电倍增管。

6.一种晶体材料检查方法，其特征在于，所述方法包括：

发射入射光并使用所述入射光对被测晶体材料进行照射；

所述被测晶体材料内杂质经照射后形成后向散射光并经原光路返回；

对所述后向散射光与入射光相干涉后得到的信号进行探测，并将所述信号转化为电信号；

对所述电信号进行提取并转化为数字信号；

对所述数字信号进行处理，得到所述被测晶体材料内杂质的微纳米颗粒粒径和/或其分布信息。

7.如权利要求6所述的晶体材料检查方法，其特征在于，所述发射入射光并使用所述入射光对被测晶体材料进行照射具体包括：

激光器由激光器驱动电路驱动发出入射光，所述入射光通过空间滤波器和准直透镜后形成一束平行光，所述会聚透镜对所述平行光进行会聚使其照射在被测晶体材料上。

8.如权利要求6或7所述的晶体材料检查方法，其特征在于，所述对所述后向散射光与入射光相干涉后得到的信号进行探测，并将所述信号转化为电信号具体包括：

对被测晶体材料内杂质的后向散射光与入射光相干涉后得到的信号进行探测，并将所述信号转化为电流信号。

9.如权利要求8所述的晶体材料检查方法，其特征在于，所述方法还包括通过跨阻放大器对所述电流信号进行放大并转化为电压信号。

10.如权利要求1或9所述的晶体材料检查方法，其特征在于，所述对所述数字信号进行处理，得到所述被测晶体材料内杂质的微纳米颗粒粒径和/或其分布信息具体包括：对自混频数字信号进行分析得到时间自相关函数，并对所述时间自相关函数进行傅立叶变换得到功率谱函数，并根据颗粒粒径与衰减速率Dq²存在的对应关系，得到所述被测晶体材料内杂质的微纳米颗粒粒径和/或其分布信息，其中，Dq²对应所述时间相关函数的衰减速率。