[发明专利]一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法

权利要求书

1.一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法，它包括步骤：

①在蓝宝石衬底(100)上外延生长GaN基外延层(101)，GaN基外延层(101)从下至上依次包括n型GaN基半导体层、活性层和p型GaN半导体层；

②在p型GaN基半导体层上沉积多层介质膜(102)，去除部分区域的多层介质膜(102)，露出p型GaN半导体层表面；

③在多层介质膜(102)及暴露的p型GaN半导体层上表面沉积具有高反射率的欧姆接触金属层(103)；

④在欧姆接触金属层(103)上表面沉积电镀种子层(104)；

⑤在电镀种子层(104)上表面通过电镀的方式形成金属衬底(105)；

⑥将蓝宝石衬底(100)去除，并将器件倒置；

⑦在n型GaN基半导体层上表面沉积p型电极(107)；

⑧在金属衬底(105)下表面沉积n型电极(106)。

2.根据权利要求1所述的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，所述外延生长GaN基外延层(101)是通过金属有机气相化学沉积MOCVD方法形成。

3.根据权利要求1或2所述的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，所述沉积多层介质膜(102)采用蒸发、溅射或者化学沉积的方法形成；多层介质膜(102)的制备材料选自SiO2、TiO2、ZnS、ZrO2、Ta2O5、PbF2、MgF2或者Al2O3；去除部分区域的多层介质膜(102)采用湿法或干法刻蚀的方法。

4.根据权利要求3所述的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，所述沉积具有高反射率的欧姆接触金属层(103)后，对欧姆接触金属层(103)进行退火处理，退火温度300-550℃，退火时间3-20min；欧姆接触金属层(103)的材料包含NiAgTiAu、NiAgPtAu、NiAgNiAu、NiAgWAu金属体系。

5.根据权利要求4所述的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，所述电镀种子层(104)的制备材料采用Au、Ni、Cu、Ta、Ti及其合金。

6.根据权利要求5所述的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，所述去除蓝宝石衬底(100)的方式采用激光剥离、研磨或者湿法腐蚀；所述p型电极(107)、n型电极(106)的沉积方式采用蒸镀或溅射的方法。