[发明专利]半导体激光器及其形成方法、形成激光介质的方法有效
| 申请号： | 201110379670.5 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102437510A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 唐文涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 形成 方法 激光 介质 | ||
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：
SOI衬底；
形成在SOI衬底的顶层硅层内的激光介质，所述激光介质与SOI衬底的氧化硅绝缘层之间具有硅材料层。
2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光介质与所述氧化硅绝缘层之间的所述硅材料层的厚度为2nm到30nm。
3.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光介质的材料为GaP、GaAs、InP、InGaAs、GaInAsP中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，还包括形成于SOI衬底内或SOI衬底上的谐振腔、光波导。
5.一种形成激光介质的方法，其特征在于，包括：
提供SOI衬底；
去除部分厚度的顶层硅层，至少保留一部分硅层；
在所保留的硅层上生长激光介质。
6.如权利要求5所述的形成激光介质的方法，其特征在于，所述去除部分厚度的顶层硅层的步骤，包括：
在顶层硅层上形成图形化的光刻胶；
利用光刻胶做掩模，刻蚀部分厚度的顶层硅层，形成开口。
7.如权利要求5所述的形成激光介质的方法，其特征在于，所述去除部分厚度的顶层硅层的步骤中采用的是化学机械研磨。
8.如权利要求5所述的形成激光介质的方法，其特征在于，所保留的硅层厚度为2nm到30nm。
9.如权利要求5所述的形成激光介质的方法，其特征在于，在所保留的硅层上生长激光介质后，进行退火。
10.如权利要求5所述的形成激光介质的方法，其特征在于，所述激光介质的材质为GaP、GaAs、InP、InGaAs、GaInAsP中的一种或多种。
11.如权利要求5所述的形成激光介质的方法，其特征在于，形成的激光介质为单个区域或呈阵列式分布的多个区域。
12.一种半导体激光器的形成方法，其特征在于，其利用如权利要求5至11任一项所述的方法形成激光介质。
13.如权利要求12所述的形成方法，其特征在于，形成激光介质后，利用半导体制作工艺在顶层硅层内或上形成谐振腔、光波导。
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