[发明专利]CMOS图像传感器

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括若干像素单元，至少一个所述像素单元包括：

用于将光信号转化为电信号的光电转换元件；

用于执行复位功能且分别位于所述光电转换元件两侧的第一复位晶体管、第二复位晶体管；

用于检测所述光电转换元件产生的电信号的浮置扩散区；

与所述浮置扩散区连接以将检测到的所述电信号进行放大的源跟随晶体管；

用于执行寻址功能并读取像素单元输出信号的选择晶体管；

所述光电转换元件的阴极与所述第一复位晶体管的源极、第二复位晶体管的源极连接；

所述第一复位晶体管的源极与所述源跟随晶体管的栅极连接；

所述源跟随晶体管的源极与所述选择晶体管的漏极连接；

所述选择晶体管的源极作为像素单元输出信号的输出端。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述像素单元形成在半导体衬底的外延层上。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光电转换元件为埋藏型光电二极管，其包括：用作光电二极管阴极的第一掺杂区、位于所述第一掺杂区上并用作光电二极管阳极的第二掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述第二掺杂区的掺杂类型相反。

4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第二复位晶体管包括第二复位晶体管的栅极、用作第二复位晶体管漏极的第三掺杂区，所述光电转换元件的第一掺杂区用作第二复位晶体管的源极，以实现所述光电转换元件的阴极与所述第二复位晶体管的源极连接。

5.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述浮置扩散区设置在所述光电转换元件与所述第一复位晶体管之间，并与所述光电转换元件的第一掺杂区连接，所述浮置扩散区用作所述第一复位晶体管的源极，以实现所述光电转换元件的阴极与所述第一复位晶体管的源极连接。

6.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括若干像素单元，至少一个所述像素单元包括：

用于将光信号转化为电信号的光电转换元件；

用于执行复位功能且分别位于所述光电转换元件两侧的第一复位晶体管、第二复位晶体管；

用于检测所述光电转换元件产生的电信号的浮置扩散区；

用于将所述光电转换元件内部电荷转移至所述浮置扩散区的传输晶体管；

与所述浮置扩散区连接以将检测到的所述电信号进行放大的源跟随晶体管；

用于执行寻址功能并读取像素单元输出信号的选择晶体管；

所述光电转换元件的阴极与所述第二复位晶体管的源极及所述传输晶体管的源极连接；

所述传输晶体管的漏极与所述第一复位晶体管的源极连接；

所述第一复位晶体管的源极与所述源跟随晶体管的栅极连接；

所述源跟随晶体管的源极与所述选择晶体管的漏极连接；

所述选择晶体管的源极作为像素单元输出信号的输出端。

7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述像素单元形成在半导体衬底的外延层上。

8.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光电转换元件为埋藏型光电二极管，其包括：用作光电二极管阴极的第一掺杂区、位于所述第一掺杂区上并用作光电二极管阳极的第二掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述第二掺杂区的掺杂类型相反。

9.根据权利要求8所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第二复位晶体管包括第二复位晶体管的栅极、用作第二复位晶体管漏极的第三掺杂区，所述光电转换元件的第一掺杂区用作第二复位晶体管的源极，以实现所述光电转换元件的阴极与所述第二复位晶体管的源极连接。

10.根据权利要求8所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述传输晶体管设置在所述光电转换元件与所述第一复位晶体管之间。

11.根据权利要求8所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光电转换元件的第一掺杂区用作所述传输晶体管的源极，以实现所述光电转换元件的阴极与所述传输晶体管的源极连接。

12.根据权利要求8所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述浮置扩散区设置在所述传输晶体管与所述第一复位晶体管之间，所述浮置扩散区分别用作所述传输晶体管的漏极、所述第一复位晶体管的源极，以实现所述传输晶体管的漏极与所述第一复位晶体管的源极连接。