[发明专利]一种薄膜厚度的量测方法无效
| 申请号： | 201110379525.7 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102435155A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 胡彬彬;韩晓刚;陈建维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01B15/02 | 分类号： | G01B15/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 厚度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜厚度量测方法，应用于半导体制造领域，其特征在于，包括下列步骤：
提供设定波长的X射线；
将所述X射线以设定角度入射所述薄膜；
对所述薄膜进行连续角度扫描，产生衍射峰，并得到薄膜衍射图谱；
根据布拉格衍射公式计算所述薄膜厚度。
2.根据权利要求1所述的薄膜厚度量测方法，其特征在于，所述薄膜厚度采用下列公式计算：d＝90λ/π(θ2-θ1)，其中d为薄膜厚度，λ为X射线波长，θ2和θ1分别为所述薄膜衍射图谱中产生相邻波峰时的X射线入射角度。
3.根据权利要求1所述的薄膜厚度量测方法，其特征在于，所述X射线的入射角度小于5度。
4.根据权利要求1所述的薄膜厚度量测方法，其特征在于，所述X射线的波长为0.01nm～10nm。
5.根据权利要求1所述的薄膜厚度量测方法，其特征在于，所述薄膜衍射图谱为等间距的波峰图谱。
6.根据权利要求1所述的薄膜厚度量测方法，其特征在于，所述薄膜为透明或半透明薄膜。
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