[发明专利]单质靶制备SmCo5薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110379511.5 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102446626A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 方庆清;张启平 | 申请（专利权）人： | 安徽大学;方庆清;张启平 |
| 主分类号： | H01F41/14 | 分类号： | H01F41/14;H01F41/18;H01F10/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230039*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单质 制备 smco sub 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单质靶制备SmCo5薄膜的方法，其特征是SmCo5磁性层是通过Sm、Co单质薄层在高温下扩散形成的，所制材料包括Cu底层，SmCo5磁性层，Cr防氧化层。
2.根据权利要求1所述的一种单质靶制备SmCo5薄膜的方法，其特征是：基片为Si(100)单晶，真空室真空度2×10-4Pa，沉积温度为400℃，激光频率8Hz，激光能量190mJ/pulse，Cu底层溅射时间为60分钟，随后Sm/Co靶交替沉积，Sm靶沉积时间为6秒，Co靶沉积时间为3分钟，重复10次。磁性层上镀Cr防氧化层，沉积时间为5分钟。样品经700℃退火30分钟后在真空室中自然冷却至室温。
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