[发明专利]数据读取装置、非易失性存储器装置及其读取方法有效

专利信息
申请号: 201110378643.6 申请日: 2011-11-24
公开(公告)号: CN102568554A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 王立中;黄士才 申请(专利权)人: 闪晶半导体股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C16/06
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李鹤松
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 数据 读取 装置 非易失性存储器 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种数据读取装置,其特征在于,所述数据读取装置包括:

一感测放大器,用于感测所述感测放大器的一第一输入端及一第二输入端之间的电压差;

一第一电容器及一第二电容器,分别连接至所述第一输入端及所述第二输入端,用于分别将所述第一输入端及所述第二输入端充电至一预设电压;以及

一读取非易失性存储器单元及一参考NVM单元,分别连接至所述第一输入端及所述第二输入端;

其中,当同时施加一栅极偏压至所述读取NVM单元的控制栅极及所述参考NVM单元的控制栅极时,所述第一电容器及所述第二电容器通过所述读取NVM单元及所述参考NVM单元进行放电;以及

其中,所述第一电容器及所述第二电容器的电容值实质上相同。

2.如权利要求1所述的数据读取装置,其特征在于,所述读取NVM单元及所述参考NVM单元为同一类型的NVM单元。

3.如权利要求1所述的数据读取装置,其特征在于,所述第一电容器及所述第二电容器皆具有一第一端及一第二端,以及,所述第一电容器的第二端及所述第二电容器的第二端皆连接至地;其中,所述第一电容器的第一端连接至所述读取NVM单元的漏极与所述第一输入端,以及,所述第二电容器的第一端连接至所述参考NVM单元的漏极及所述第二输入端。

4.如权利要求1所述的数据读取装置,其特征在于,所述第一电容器及所述第二电容器的各电容值皆包括一调整电容器的电容值、一位线电容值及一寄生电容值的至少其一。

5.如权利要求1所述的数据读取装置,其特征在于,所述数据读取装置更包括:

一第一开关,用于根据一控制信号将所述第一电容器连接至所述预设电压;以及

一第二开关,用于根据所述控制信号将所述第二电容器连接至所述预设电压。

6.如权利要求1所述的数据读取装置,其特征在于,所述感测放大器包括:

一第一P通道晶体管,具一第一源极连接至一操作电压、一第一栅极以接收一使能信号及一第一漏极以产生一第一输出电压;

一第二P通道晶体管,具一第二源极连接至所述操作电压、一第二栅极以产生一第二输出电压及一第二漏极连接至所述第一漏极;

一第一N通道晶体管,具一第三漏极连接至所述第二漏极及一第三栅极连接至所述第二栅极;

一第二N通道晶体管,具一第四漏极连接至所述第一N通道晶体管的一第三源极及一第四栅极定义为所述第一输入端;

一第三N通道晶体管,具一第五漏极连接至所述第三源极、一第五栅极连接至所述第三栅极及一第五源极连接至所述第二N通道晶体管的一第四源极;

一第三P通道晶体管,具一第六源极连接至所述操作电压、一第六栅极接收所述使能信号及一第六漏极连接至所述第二栅极;

一第四P通道晶体管,具一第七源极连接至所述操作电压、一第七栅极连接至所述第二漏极及一第七漏极连接至所述第六漏极及所述第二栅极;

一第四N通道晶体管,具一第八漏极连接至所述第七漏极及一第八栅极连接至所述第七栅极;

一第五N通道晶体管,具一第九漏极连接至所述第四N通道晶体管的一第八源极及一第九栅极定义为所述第二输入端;

一第六N通道晶体管,具一第十漏极连接至所述第九漏极、一第十栅极连接至所述第八栅极及一第十源极连接至所述第五N通道晶体管的一第九源极与所述第五源极;以及

一第七N通道晶体管,具一第十一漏极连接至所述第十源极、一第十一栅极接收所述使能信号及一第十一源极连接至地。

7.如权利要求6所述的数据读取装置,其特征在于,当所述使能信号在逻辑状态1时,所述第一输出电压及所述第二输出电压为互补。

8.如权利要求7所述的数据读取装置,其特征在于,当所述使能信号在逻辑状态1且所述第一输入端的电压大于所述第二输入端的电压时,所述第一输出电压在逻辑状态0及所述第二输出电压在逻辑状态1;以及,其中当所述使能信号在逻辑1状态且所述第一输入端的电压小于所述第二输入端的电压时,所述第一输出电压在逻辑状态1及所述第二输出电压在逻辑状态0。

9.如权利要求6所述的数据读取装置,其特征在于,当所述使能信号在逻辑状态0时,所述第一输出电压及所述第二输出电压在逻辑状态1。

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