[发明专利]含聚芳醚腈与氧化铕的复合荧光薄膜及其制备方法

权利要求书

1.含聚芳醚腈与氧化铕的复合荧光薄膜，包含96～99％质量分数的基体材料和1～4％质量分数的填充材料；所述基体材料为含羧基侧基的聚芳醚腈，所述填充材料为氧化铕。

2.根据权利要求1所述的含聚芳醚腈与稀土氧化物的复合荧光薄膜，其特征在于，所述含羧基侧基的聚芳醚腈的结构式为：

其中n₁、n₂为聚合度，且n₁、n₂大于等于14。

3.含聚芳醚腈与氧化铕的复合荧光薄膜的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：将96～99％质量分数的含羧基侧基的聚芳醚腈溶于N-甲基吡咯烷酮有机溶剂中，然后加入1～4％质量分数的氧化铕，超声分散，得到含羧基侧基的聚芳醚腈与氧化铕在N-甲基吡咯烷酮有机溶剂中的混合体系。

步骤2：将步骤1所得混合体系加热至200℃，搅拌下回流反应2～4小时，生成含羧基侧基的聚芳醚腈与氧化铕的共混溶液。

步骤3：蒸发多余的N-甲基吡咯烷酮有机溶剂，使得含羧基侧基的聚芳醚腈与氧化铕共混溶液的粘度适合于采用流延工艺制作薄膜。

步骤4：将步骤3所得具有合适粘度的含羧基侧基的聚芳醚腈与氧化铕共混溶液流延于干燥洁净的玻璃板上成膜。

步骤5：将步骤4所得流延薄膜连同玻璃板置于160～200℃条件下烘干处理4～6小时以彻底除去残留的N-甲基吡咯烷酮有机溶剂，自然冷却至室温后得到从玻璃板上自然分离的含聚芳醚腈与氧化铕的复合荧光薄膜。

4.根据权利要求3所述含聚芳醚腈与氧化铕的复合荧光薄膜的制备方法，其特征在于，所述含羧基侧基的聚芳醚腈的结构式为：

其中n₁、n₂为聚合度，且n₁、n₂大于等于14。