[发明专利]发光二极管装置无效

专利信息
申请号: 201110378208.3 申请日: 2011-11-24
公开(公告)号: CN103137843A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 林厚德;张超雄 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体照明领域,尤其涉及一种具有可改变光场分布的发光二极管装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode, LED)作为一种新兴的光源,具有高亮度、长寿命及低污染等优点,因此被广泛应用于多种场合之中,并大有取代传统光源的趋势。

由于单个发光二极管为一点光源,其制成照明装置时,通常配合一透镜进行一次光学变换以改变其光场分布。现有的发光二极管装置均为根据不同的照明环境设计有不同的透镜,每一发光二极管装置的光场分布固定,不能根据环境的改变而改变,因此,这种发光二极管装置的环境适应能力较差。

发明内容

有鉴于此,实有必要提供一种可改变光场分布的发光二极管装置。

一种发光二极管装置,包括底座、设于该底座中的发光芯片及设于该底座上且覆盖该发光芯片的透镜,该透镜由弹性且透明的材料制成,该透镜在外力作用下可发生形变,以改变该透镜的曲率。

本发明的发光二极管装置,其透镜由弹性且透明的材料制成,可通过外力改变曲率,从而使所述发光二极管装置产生不同的光场分布,适应不同的环境,从而使该发光二极管装置具有更好的环境适应能力。

附图说明

图1为本发明第一实施例的发光二极管装置的结构示意图。

图2为图1所示发光二极管装置处于第二状态时的结构示意图。

图3为本发明第二实施例的发光二极管装置处于第二状态时的结构示意图。

图4为本发明第三实施例的发光二极管装置的结构示意图。

图5为图4所示发光二极管装置处于第二状态时的结构示意图。

主要元件符号说明

发光二极管装置100,100a,100b底座10,10a,10b第一瓣体11,11a,11b第一台阶111第二瓣体12,12a,12b第二台阶121凹槽13第一电极14,14b第二电极15,15b导线16发光芯片20,20b透镜30,30a

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请参阅图1,所示为本发明第一实施例中的发光二极管装置100,该发光二极管装置100包括一底座10、设于该底座10中的一发光芯片20及设于该底座10上且覆盖该发光芯片20的一透镜30。

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