[发明专利]热辅助磁写头及用于其中的加热装置无效
申请号: | 201110378120.1 | 申请日: | 2011-11-24 |
公开(公告)号: | CN102479516A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | V.P.S.拉韦特;B.C.斯蒂普 | 申请(专利权)人: | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31;G11B5/127 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辅助 磁写头 用于 中的 加热 装置 | ||
1.一种加热装置,用于热辅助磁写头中,该加热装置包括:
等离激元天线,
其中所述等离激元天线包括金属合金。
2.如权利要求1的加热装置,其中所述金属合金是金合金AuX,其中X为Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt。
3.如权利要求1的加热装置,其中所述金属合金是金合金AuX,其中X为Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt,X的浓度小于5at%。
4.如权利要求1的加热装置,其中所述金属合金是铜合金CuX,其中X为Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt。
5.如权利要求1的加热装置,其中所述金属合金是铜合金CuX,其中X为Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt,X的浓度小于5at%。
6.如权利要求1的加热装置,其中所述金属合金是银合金AgX,其中X为Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt。
7.如权利要求1的加热装置,其中所述金属合金是银合金AgX,其中X为Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt,X的浓度小于5at%。
8.如权利要求1的加热装置,其中所述金属合金是铝合金AlX,其中X为Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt。
9.如权利要求1的加热装置,其中所述金属合金是铝合金AlX,其中X为Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt,X的浓度小于5at%。
10.如权利要求1的加热装置,还包括接触所述等离激元天线的至少一个边缘的孔。
11.一种热辅助磁写头,包括:
近场换能器,包括金属性E形天线,该金属性E形天线包括金属合金;
磁极;以及
磁唇,与所述磁极连接。
12.如权利要求11的热辅助磁写头,其中所述金属性E形天线包括金合金AuX,其中X为Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt,且
还包括电介质C形孔,该电介质C形孔包括SiO2、Si3N4或SiOxNy。
13.如权利要求11的热辅助磁写头,其中所述金属性E形天线包括金合金AuX,其中X为Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt,X的浓度小于5at%,且
还包括电介质C形孔,该电介质C形孔包括SiO2、Si3N4或SiOxNy。
14.如权利要求11的热辅助磁写头,其中所述金属性E形天线包括铜合金CuX,其中X为Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt,X的浓度小于5at%,且
还包括电介质C形孔,该电介质C形孔包括SiO2、Si3N4或SiOxNy。
15.如权利要求11的热辅助磁写头,其中所述金属性E形天线包括银合金AgX,其中X为Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt,且
还包括电介质C形孔,该电介质C形孔包括SiO2、Si3N4或SiOxNy。
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