[发明专利]晶圆在超纯水中过浸泡后的补救方法无效
| 申请号： | 201110377093.6 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103137433A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 陈东强;寿晓懂 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超纯水 浸泡 补救 方法 | ||
【权利要求书】：
1.晶圆在超纯水中过浸泡后的补救方法，其特征在于，在湿法工艺中，对在超纯水中过度浸泡的晶圆，在由干燥槽正常回收以后，流转至下一制程以前，使用稀氢氟酸对该晶圆进行处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法工艺是栅极氧化生长前的湿法清洗工艺。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过度浸泡为浸泡时间超过设定时间10分钟以上。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸的浓度为0.05wt％～5wt％。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸的温度为20～30℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用所述氢氟酸处理的时间为30秒～30分钟。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在批式处理设备或单片处理设备上进行氢氟酸处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110377093.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种沟槽型功率MOS器件及其制造工艺方法
- 下一篇：新型耳机线
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
