[发明专利]SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法

权利要求书

1.一种SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、采用深阱注入与衬底隔离以减小集电区漏电流；

步骤二、制作N型和P型赝埋层和掺杂集电区，在浅槽隔离底部高剂量、低能量地注入硼离子或磷离子杂质，经过热处理后杂质的扩散，形成N和P型赝埋层；

步骤三、利用P型衬底形成P型集电区，由P型赝埋层通过深接触孔引出；

步骤四、硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT集电区形成N型基区，由N型赝埋层通过深接触孔引出；

步骤五、利用硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT外延P型硅锗异质结双极晶体管SiGe基区形成发射区，并由硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT基区引出。

2.如权利要求1所述的SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，

步骤一中深阱注入杂质为磷，注入剂量为1e¹⁴～5e¹⁵cm^-2，注入能量为500kev～3000kev；P阱注入杂质为硼，注入剂量为1e¹²～5e¹³，注入能量为200kev～500kev。

3.如权利要求1所述的SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，

步骤二中N型和P型赝埋层，PBL通过1e¹⁴～1e¹⁶cm^-2高剂量、小于15keV低能量的P型注入，注入的杂质为硼或氟化硼，作为P型集电区的连接；NBL通过1e¹⁴～1e¹⁶cm^-2高剂量、小于15keV低能量的N型注入，注入的杂质为磷，作为N型基区的连接。

4.如权利要求1所述的SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，

步骤三中集电区和基区：P型集电区利用P型衬底形成；N型基区由硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT集电区形成，注入的杂质为N型的磷或砷，注入剂量为5e¹¹～5e¹³，注入能量为50kev～500kev。

5.如权利要求1所述的SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，

步骤四中发射区：由硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT外延P型SiGe基区形成，注入杂质为硼或氟化硼，注入剂量为5e¹¹～5e¹³，注入能量为50kev～500kev。

6.如权利要求1所述的SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，

步骤五中集电区、基区和发射区引出：集电区和基区由深接触孔引出，发射区通过硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT基区引出。