[发明专利]硅基GaN薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 201110377023.0 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103137434A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张帅;刘坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅基 gan 薄膜 制造 方法 | ||
1.一种硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
一.在硅衬底背面形成带图形的光刻胶或硬掩模版；
二.利用带图形的光刻胶或硬掩模版作为刻蚀阻挡层，在硅衬底背面刻蚀出沟槽；
三.将所述光刻胶或硬掩模版去除；
四.在硅衬底正面上生长GaN薄膜。
2.根据权利要求1所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，
在步骤三之后，在沟槽中填充或生长加强薄膜，然后再进行步骤四。
3.根据权利要求1或2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，
步骤二中，利用干法刻蚀出沟槽。
4.根据权利要求1或2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，
沟槽底部拐角处为弧形。
5.根据权利要求1或2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，
沟槽的深度在硅衬底厚度的1/20～1/2之间。
6.根据权利要求1或2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，
沟槽的形状是周期性排列的条形、方形、环形、或六边形。
7.根据权利要求1或2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，
各沟槽的宽度相等或不相等，各沟槽间的间隔宽度相等或不相等；
8.根据权利要求1或2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，
沟槽的宽度在1um～20um之间，各沟槽间的间隔宽度在2um～50um之间。
9.根据权利要求2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，
在沟槽中填充的加强薄膜是二氧化硅、多晶硅或多孔硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
