[发明专利]一种光学电场传感器有效
| 申请号: | 201110376588.7 | 申请日: | 2011-11-23 |
| 公开(公告)号: | CN102411080A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
| 发明(设计)人: | 肖霞;徐雁;徐垦 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R29/14;G01R15/24 |
| 代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光学 电场 传感器 | ||
技术领域
本发明属于电气测量技术领域,具体涉及一种用于测量电场或电压的无源光学电场传感器,该传感器尤其适合用于测量电力系统的空间强电场或电力母线上的高电压,较一般的光学电场传感器稳定性高,较传统传感器频带宽。
背景技术
电场测量在诸多科学研究和工程技术领域具有重要意义,特别是在电力系统、电磁兼容及微波技术等领域具有广泛应用。例如,在电力工业,电场测量可用于电力系统状态监测、电气设备内外电场分布测量、高电压试验及电晕放电现象研究,电力系统母线高电压的测量等;在电磁兼容领域研究中,电场测量可用于检测电气、电子设备的对外电磁辐射与干扰以及研究环境电场对电子仪器运行的影响;在微波技术中,需要对微波发射与接收设备周围电场进行测量。光学电场传感器基于光学传感原理,由光学玻璃等器件构成,体积小,对被测电场几乎无扰动。
基于线性电光效应原理的光学电场传感器已被用于电场分布以及电力系统母线高电压的测量,但是传感器的稳定性易受环境温度、振动等因素的影响,改善其稳定性的一种典型方案就是采用反射式双光路结构,方案中利用一个光学晶体的线性电光效应来传感被测电场,当由温度、振动等因素引起的干扰双折射远小于由电场产生的双折射时,利用两个光路的输出做运算来处理干扰因素的影响,但根据实测和运行结果,其长期运行的稳定性仍未能有效解决。
发明内容
本发明的目的在于提供一种无源光学电场传感器,该传感器在工作温度变化、存在振动等环境因素影响时仍能满足基本准确度指标要求,可在实际运行中长期稳定的工作。
本发明提供的一种无源光学电场传感器,其特征在于,它包括入射光纤、光纤准直器、三角形棱镜、入射光起偏器、第一光学晶体、半波片、三角形棱镜、三角形棱镜、第二光学晶体、检偏器、光纤准直器、出射光纤和地电极;
第一光学晶体处于被测电场E中,第二光学晶体处于地电极内,第二光学晶体所处环境的电场强度为零;
入射光通过入射光纤经过光纤准直器入射到三角形棱镜,由三角形棱镜对入射光全内反射改变光的行进方向,再入射起偏器后变成线偏振光,线偏振光入射第一光学晶体;
从第一光学晶体出射的光依次经过半波片、三角形棱镜和三角形棱镜,半波片、三角形棱镜和三角形棱镜改变光的行进方向,同时改变偏振光波的振动方向,再入射到第二光学晶体,从第二光学晶体出射后,再经光纤准直器后由出射光纤出射。
本发明的技术效果为:
1.第一光学晶体处在被测电场区内,同时受被测电场以及温度、振动等干扰场的调制;
2.第二光学晶体处于地电位一侧,仅受温度、振动等干扰场的调制;
3.传感器的输出光信号中仅含有被测电场的调制信号,消除了温度、振动等干扰对传感器的影响;
4.传感器的输出只需一个光路,简化了传感器的制作工艺,更利于批量生产。
本发明光学传感器传感器采用两个光学晶体,从结构设计上能消除温度、振动等干扰场对稳定性的影响,无需在信号处理中做相关补偿,因此,该光学电场传感器能长期稳定运行,且利于批量生产。
附图说明
图1为本发明光学电场传感器的结构示意图;
图2为本发明光学电场传感器应用于高压母线电压互感器的具体实现图。
具体实施方式
下面借助实施例更加详细地说明本发明,但以下实施例仅是说明性的,本发明的保护范围并不受这些实施例的限制。
如图1所示,本发明提供的一种无源光学电场传感器包括入射光纤17、光纤准直器15、三角形棱镜9、入射光起偏器3、第一光学晶体1、半波片4、三角形棱镜5、三角形棱镜6、第二光学晶体2、检偏器7、光纤准直器16、出射光纤18和地电极8。
第一光学晶体1处于被测电场E中,第二光学晶体2处于地电极8内,第二光学晶体2所处环境的电场强度为零。
第一光学晶体1和第二光学晶体2之间的光路依次通过半波片4、三角形棱镜5和三角形棱镜6实现光路的转向,同时改变偏振光波的振动方向。
第一光学晶体1同时受被测电场以及温度、振动等干扰场的调制,第二光学晶体2仅受温度、振动等干扰场的调制。光束依次通过第一光学晶体1和第二光学晶体2后,受温度、振动等干扰场的调制相互抵消,在出射的光束中仅有电场的调制部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110376588.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





