[发明专利]含萘基蒽的有机半导体材料、其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201110376449.4 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103130724A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;梁禄生;张振华 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C07D239/26 | 分类号： | C07D239/26;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518052 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含萘基蒽 有机 半导体材料 制备 方法 应用 | ||
1.一种含萘基蒽的有机半导体材料，具有如下结构式I：
其中R为氢或C1～C8的烷基。
2.如权利要求1所述的含萘基蒽的有机半导体材料，其特征在于，所述R为甲基、乙基、异丙基或叔丁基。
3.一种含萘基蒽的有机半导体材料制备方法，包括如下步骤：
分别提供结构式为的化合物A、结构式为的化合物B，其中R为氢或C1～C8的烷基；
按摩尔比1∶1～1.5将所述化合物A和化合物B溶于含有催化剂和碱性溶液的有机溶剂中，无氧条件及温度为70℃～130℃条件下进行Suzuki反应20小时～48小时，得到含萘基蒽的有机半导体材料，具有如下结构式I：
4.如权利要求3所述的含萘基蒽的有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述R为甲基、乙基、异丙基或叔丁基。
5.如权利要求3所述的含萘基蒽的有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述催化剂为有机钯或有机钯与有机磷配体的混合物。
6.如权利要求5所述的含萘基蒽的有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述有机钯选自四三苯基膦钯、醋酸钯、三(二亚苄基丙酮)二钯或双三苯基膦二氯化钯。
7.如权利要求3或6所述的含萘基蒽的有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述有机钯和所述化合物A的摩尔比为0.001～0.1∶1。
8.如权利要求7所述的有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述碱性溶液为Cs2CO3溶液、K2CO3溶液、Na2CO3溶液或Li2CO3溶液。
9.如权利要求8所述的有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述碱性溶液与所述化合物A的摩尔比为20～25∶1。
10.权利要求1或2所述的含萘基蒽的有机半导体材料在有机电致发光器件，有机太阳能电池，有机场效应晶体管，有机光存储器件，有机非线性材料或有机激光器件中的应用。
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