[发明专利]一种可直接连接在交流电上的LED芯片组

权利要求书

1.一种可直接连接在交流电上的LED芯片组，其特征在于：至少包括两枚集成电阻发光二极管芯片，所述两枚集成电阻发光二极管芯片并联在交流电正负极，每一枚集成电阻发光二极管芯片包括第一半导体电阻（R1）和第二半导体电阻（R2），在所述第一半导体电阻（R1）和所述第二半导体电阻（R2）之间串联有多个发光二极管（L1、L2、L3），所述多个发光二极管（L1、L2、L3）的PN结走向相同，根据二极管正向导通原理两枚集成电阻发光二极管芯片在交流电作用下交替发光。

2.根据权利要求1所述可直接连接在交流电上的LED芯片组，其特征在于：一枚集成电阻发光二极管芯片的第一半导体电阻（R1）和另一枚集成电阻发光二极管芯片的第二半导体电阻（R2）的连接端与交流电正极或负极直接连接。

3.根据权利要求2所述可直接连接在交流电上的LED芯片组，其特征在于：所述第一半导体电阻（R1）、所述第二半导体电阻（R2）以及所述多个发光二极管除了共用一衬底（1）层外分别由独立的缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、有源区结构（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）以及P型金属欧姆接触层（9）由下至上组合而成；相邻两个发光二极管通过N型层（3）电极与P型金属欧姆接触层（9）电极连接实现串联；所述第一半导体电阻（R1）和所述第二半导体电阻（R2）分别都设有两个接触电极，所述第一半导体电阻（R1）或所述第二半导体电阻（R2）的一个接触电极与电源的正极或负极连接，另外一个接触电极与相邻发光二极管的N型层（3）或P型金属欧姆接触层（9）连接。

4.根据权利要求3所述可直接连接在交流电上的LED芯片组，其特征在于：所述第一半导体电阻（R1）、所述第二半导体电阻（R2）以及多个发光二极管的外表都包裹一层绝缘介质膜（13），但多个发光二极管的N型层（3）电极、多个发光二极管的P型金属欧姆接触层（9）电极以及所述第一半导体电阻（R1）和所述第二半导体电阻（R2）的各自两个接触电极上方的绝缘介质膜（13）都去除。

5.根据权利要求1至4任何一项所述可直接连接在交流电上的LED芯片组，其特征在于：所述第一半导体电阻（R1）的P型金属欧姆接触层（9）被P型金属欧姆接触层第一隔离缺口（17）分离成两个接触电极。

6.根据权利要求1至5中任何一项所述可直接连接在交流电上的LED芯片组，其特征在于：所述第二半导体电阻（R2）P型金属欧姆接触层（9）被P型金属欧姆接触层第二隔离缺口（18）分离成两个接触电极。

7.根据权利要求6所述可直接连接在交流电上的LED芯片组，其特征在于：所述发光二极管为三个：第一发光二极管（L1）、第二发光二极管（L2）和第三发光二极管（L3）；其中，第一发光二极管（L1）的P型金属欧姆接触层（9）电极通过PP结电极连接金属层（162）与第一半导体电阻（R1）的右侧接触电极连接，第一发光二极管（L1）的N型层（3）电极通过第一PN结电极连接金属层（163）与第二发光二极管（L2）的P型金属欧姆接触层（9）电极连接；第二发光二极管（L2）的N型层（3）电极通过第二PN结电极连接金属层（164）与第三发光二极管（L3）的P型金属欧姆接触层（9）电极连接；第三发光二极管（L3）的N型层（3）电极通过第三PN结电极连接金属层（165）与第二半导体电阻（R2）的左侧接触电极连接。

8.根据权利要求7所述可直接连接在交流电上的LED芯片组，其特征在于：所述绝缘介质膜（13）的厚度在150nm-450nm之间。

9.根据权利要求8所述可直接连接在交流电上的LED芯片组，其特征在于：所述衬底（1）的材质为蓝宝石、碳化硅或GaN。