[发明专利]用于黑底的掩模有效

专利信息
申请号: 201110375525.X 申请日: 2011-11-23
公开(公告)号: CN102749802A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 金镇必;朴承烈;卢韶颖;李振福 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: G03F1/62 分类号: G03F1/62;G02F1/1362
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;孙海龙
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 黑底
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种用于为显示装置形成黑底的掩模,所述显示装置包括数据线,所述数据线具有相对于像素区的中心部分的折弯结构。

背景技术

随着信息技术的快速发展,用于显示大量信息的显示装置迅速发展。更具体地讲,外形薄、重量轻且功耗低的平板显示(FPD)装置,例如有机电致发光显示(OLED)装置和液晶显示(LCD)装置已得到积极的研究,并逐渐代替阴极射线管(CRT)。

在各种类型的FPD装置中,液晶显示(LCD)装置因为其优异的对比度、低功耗以及显示运动图像方面的优势而广泛用作笔记本计算机和台式计算机的监视器。LCD装置利用液晶分子的光学各向异性和偏振特性。液晶分子由于其细且长的形状而具有确定的取向方向。可以通过对液晶分子施加电场来控制液晶分子的取向方向。

通常,LCD装置包括液晶面板,液晶面板包括:第一基板,其具有用于驱动液晶分子的阵列层;第二基板,其具有用于产生颜色的滤色器层;以及液晶层,其处于第一基板和第二基板之间。液晶分子的排列根据电场而变化,穿过液晶面板的光的透射率是受控的。

LCD装置还包括位于液晶面板下方的背光源。来自背光源的光穿过液晶面板,并且由于滤色器层而显示彩色图像。

可通过下列工艺来制造LCD装置:基板加工工艺,用于在第一基板和第二基板上形成元件;单元(cell)工艺,用于完成液晶面板;以及模块工艺,用于将液晶面板和背光源组合。

基板加工工艺包括薄膜沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺等,这些工艺重复若干次,以形成像素电极和薄膜晶体管。

光刻工艺通过将光刻胶施加于具有薄膜的基板上,通过掩模对光刻胶进行曝光,然后对光刻胶显影来形成光刻胶图案。

用于对光刻胶曝光的曝光设备可分为投影式和接近式。与接近式相比,投影式的优点在于光刻胶图案的高分辨率,但是缺点在于成本高和曝光速度慢。因此,近来,广泛使用了接近式曝光设备。

图1是示出了根据现有技术的用于形成具有多个图案的黑底的掩模的平面图,并且图2是示出了掩模的透光部分和光刻胶图案以进行比较的平面图。

在图1中,用于形成黑底的掩模10包括沿其边缘布置的边框11以及布置在边框11上的基板21,其中,该黑底形成在与具有像素电极和薄膜晶体管的下基板相对的上基板(未示出)上。基板21包括透光部分23和阻光部分25。透光部分23的尺寸与用于黑底的光刻胶图案相对应。阻光部分25布置在相邻的透光部分23之间并围绕各透光部分23。

如图2所示,利用掩模10形成的用于黑底的光刻胶图案30比掩模10的透光部分23大。更具体地讲,掩模10的透光部分23具有第一宽度w1,形成在基板(未示出)上的光刻胶图案30具有比第一宽度w1更宽的第二宽度w2。将第一宽度w1和第二宽度w2之间的差异称为临界尺寸偏差。

近来,随着显示装置具有高清晰度和高分辨率,形成精细的光刻胶图案很重要,并且由于线宽的减小以及光刻工艺的限制,光刻胶图案的最小临界尺寸为约7微米。

因此,如果光刻胶图案的第二宽度w2小于7微米,考虑到临界尺寸偏差,则无法在掩模10中形成透光部分23。即,当光刻胶图案的第二宽度w2小于7微米时,无法形成精细的光刻胶图案。

发明内容

因此,本发明涉及一种用于为显示装置形成黑底的掩模,所述显示装置包括数据线,所述数据线具有相对于像素区的中心部分的折弯结构,该掩膜基本上消除了由现有技术的局限和缺点导致的一个或多个问题。

本发明的一个目的在于提供微小的光刻胶图案。

本发明的另一个目的在于提供一种显示装置的黑底,所述显示装置包括数据线,所述数据线具有相对于像素区的中心部分的折弯结构。

将在下面的描述中阐述本发明的另外的特征和优点,并且其将部分地通过该描述而变得明显,或者可以通过本发明的实践而获知。将通过所撰写的说明书和权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现并获得本发明的这些优点和其它优点。

为了实现这些优点和其它优点并且根据本发明的目的,如具体实施并广泛描述的,提供了一种用于为显示装置形成黑底的掩模,所述显示装置包括数据线,所述数据线具有相对于像素区的中心部分的折弯结构,所述掩模包括:边框,其具有矩形形状;以及基板,其布置在所述边框上并包括透光部分和阻光部分,其中,所述透光部分包括第一透光图案和处于相邻的第一透光图案之间的光控制部分,并且所述透光部分还包括与所述像素区的所述中心部分相对应的折弯部分,并且其中,所述折弯部分布置为距与其相邻的透光图案的距离相等。

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