[发明专利]一种制备超细线条的方法

权利要求书

1.一种制备GaN基脊型激光器的方法，具体包括以下步骤：

1)在衬底上制备氧化工艺阻挡层；

2)干法刻蚀衬底材料，得到初始线条，去掉光刻胶，对氧化硅掩膜线条进行trimming，得到尺寸更小的线条；

3)对线条进行湿法氧化，将线条顶端掩膜通过湿法腐蚀去掉，得到悬空的硅纳米线。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1)具体包括：

a、在衬底上淀积氧化硅薄膜；

b、沉积氮化硅薄膜

c、在氮化硅薄膜上涂光刻胶，光刻定义出将要作为硅线条硬掩膜的区域；

d、干法刻蚀工艺将光刻胶上的图形转移到氧化硅、氮化硅薄膜上。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤3)具体包括：

a、将步骤2)得到线条进行湿法氧化；

b、通过湿法腐蚀工艺去除包围纳米线条顶部的氮化硅掩膜；

c、通过湿法腐蚀工艺去除包围纳米线条的氧化层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述淀积氧化硅、氮化硅采用低压化学气相沉积法，定义光刻胶采用的是普通光学光刻，刻蚀氧化硅、氮化硅和衬底材料采用的是异性干法刻蚀技术。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述trimming氧化硅掩膜采用BHF溶液。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀氮化硅掩膜采用加热的浓磷酸，湿法腐蚀氧化层采用氟化氢溶液。