[发明专利]一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法

权利要求书

1.一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法，该方法包括：

步骤1：在InP衬底正面的外延层上制作MMIC电路；

步骤2：在InP衬底正面的外延层及该MMIC电路之上涂敷光刻胶层保护该MMIC电路，形成InP基片；

步骤3：将该InP基片、蓝宝石双面抛光片和磨花玻璃基板采用石蜡黏合，形成5层叠层结构；其中，该蓝宝石双面抛光片与该InP基片正面之间采用高温石蜡黏合，该蓝宝石双面抛光片与该磨花玻璃基板之间采用低温石蜡黏合；

步骤4：对该5层叠层结构中InP基片的背面进行研磨减薄；

步骤5：使用化学机械抛光对减薄后的该InP基片背面进行抛光；

步骤6：融化低温石蜡，分离该5层叠层结构中的磨花玻璃基板；

步骤7：采用溅射工艺，在该InP基片背面的抛光面上制作Ni掩膜层；

步骤8：在该Ni掩膜层上涂敷光刻胶，并对该光刻胶进行光刻得到刻蚀图形；

步骤9：以该刻蚀图形为掩模，采用HF酸腐蚀去除部分Ni掩膜层；

步骤10：去除未腐蚀Ni掩膜层上的光刻胶，并采用ICP工艺，以未腐蚀Ni掩膜层为掩模，用HBr气体从该InP基片背面进行刻蚀，刻穿InP衬底及衬底正面的外延层，直至外延层上的MMIC电路；

步骤11：在该Ni掩膜层上溅射Ti/Au起镀层；

步骤12：在该Ti/Au起镀层上光刻电镀用图形；

步骤13：在该Ti/Au起镀层上电镀Au；

步骤14：超声剥离该Ti/Au起镀层之外的Au，得到背面金属结构；

步骤15：融化高温石蜡，分离该5层叠层结构中的蓝宝石双面抛光片。

2.根据权利要求1所述的制作磷化铟单片微波集成电路的方法，其特征在于，所述步骤4包括：

使用颗粒度直径为1μm氧化铝浆液对该5层叠层结构中InP基片的背面进行研磨减薄，浆液各组分的重量比为：氧化铝5％～12％，DI水88％～95％；减薄完毕时该InP基片的最终厚度＜120μm，表面粗糙度

3.根据权利要求1所述的制作磷化铟单片微波集成电路的方法，其特征在于，步骤5中所述使用化学机械抛光对减薄后的该InP基片背面进行抛光的过程中，化学机械抛光采用的重量比为5％～12％的纳米二氧化钛、0.03％～0.8％的次氯酸盐、硅酸钠、三聚磷酸钠、1.5％～5％的六偏磷酸钠、0.1％～0.6％的PH调节剂、0.02％～0.1％的冷却剂、85％～98％的去离子水，PH值8～12，配合使用聚氨基甲酸乙酯树脂作为上述成分的抛光垫。

4.根据权利要求3所述的制作磷化铟单片微波集成电路的方法，其特征在于，所述PH调节剂为氨水，抛光完毕后该InP基片的厚度＜70μm，表面粗糙度

5.根据权利要求1所述的制作磷化铟单片微波集成电路的方法，其特征在于，步骤7中所述制作的Ni掩膜层的厚度为2μm。

6.根据权利要求1所述的制作磷化铟单片微波集成电路的方法，其特征在于，步骤10中所述刻蚀，刻蚀深度为70～72μm。

7.根据权利要求1所述的制作磷化铟单片微波集成电路的方法，其特征在于，步骤11中所述Ti/Au起镀层中，Ti层的厚度为100～Au层的厚度为500～

8.根据权利要求1所述的制作磷化铟单片微波集成电路的方法，其特征在于，步骤13中所述Au的厚度为3～5μm。

9.根据权利要求1所述的制作磷化铟单片微波集成电路的方法，其特征在于，该方法在步骤15之后，还包括：

步骤16：清洗、划片和封装。