[发明专利]深沟槽工艺晶片周边硅针状缺陷的解决方法

权利要求书

1.深沟槽工艺晶片周边硅针状缺陷的解决方法，其特征在于，在光刻完成后，深沟槽刻蚀前，包括以下步骤：

1)在衬底氧化硅上淀积六甲基二硅胺蒸汽；

2)涂布第一层光阻，软烘烤，曝光；

3)涂布第二层同种光阻，软烘烤，用相应的光罩曝光晶片周边区域；

4)第一次显影液喷吐，静止，甩干；

5)第二次显影液喷吐，静止，去离子水冲洗并甩干。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中，淀积的温度为110℃，时间为58秒。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)和3)中，涂布的光阻厚度为。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)和3)中，软烘烤的温度为90℃，时间为60秒。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)和3)中，曝光的条件为：曝光能量300毫秒，曝光焦距2μm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)和5)中，静止时间为45秒。