[发明专利]FinFET器件的制造方法及结构无效
| 申请号： | 201110374595.3 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103137478A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | finfet 器件 制造 方法 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种FinFET器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底，在所述硅衬底上形成应变硅层；
图案化所述应变硅层，形成源区和漏区以及位于所述源区和漏区之间的沙漏状的鳍形应变硅沟道区；
形成围绕在所述沙漏状的鳍形应变硅沟道区两侧和上方的栅极结构；
以所述栅极结构为掩膜，对所述源区和漏区进行源/漏极离子注入，形成源极和漏极。
2.如权利要求1所述的FinFET器件的制造方法，其特征在于，对所述源区和漏区进行源/漏极离子注入之前或之后，还包括：以所述栅极结构为掩膜，对所述源区和漏区进行轻掺杂源/漏区离子注入，形成轻掺杂源/漏极延伸区。
3.如权利要求1所述的FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述硅衬底为绝缘体上硅衬底或纯硅衬底。
4.一种FinFET器件结构，其特征在于，包括：
硅衬底；
位于所述硅体衬底上的源极和漏极；
位于所述源极与漏极之间的沙漏状的鳍形应变硅沟道区；以及，
围绕在所述沙漏状的鳍形应变硅沟道区的两侧及上方的栅极结构。
5.如权利要求5所述的FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述硅衬底为绝缘体上硅衬底或纯硅衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
